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公开(公告)号：CN103985733A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410048462.0
申请日：2014-02-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L51/5203 , H01L51/5265
Abstract: 本发明的一个方式的目的是抑制发光装置的串扰现象发生。本发明的一个方式是一种发光装置，包括：绝缘层416；所述绝缘层上的第一下部电极421a；所述绝缘层上的第二下部电极421b；形成在所述绝缘层上且位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的分隔壁418；形成在所述第一下部电极、所述分隔壁以及所述第二下部电极上且包含含有发光物质的发光层和导电性比发光层高的层的叠层膜423；所述叠层膜上的上部电极422；形成在所述分隔壁下且以不与所述第一下部电极以及所述第二下部电极重叠的方式配置的屏蔽电极419。
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公开(公告)号：CN103985733B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201410048462.0
申请日：2014-02-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L51/5203 , H01L51/5265
Abstract: 本发明的一个方式的目的是抑制发光装置的串扰现象发生。本发明的一个方式是一种发光装置，包括：绝缘层416；所述绝缘层上的第一下部电极421a；所述绝缘层上的第二下部电极421b；形成在所述绝缘层上且位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的分隔壁418；形成在所述第一下部电极、所述分隔壁以及所述第二下部电极上且包含含有发光物质的发光层和导电性比发光层高的层的叠层膜423；所述叠层膜上的上部电极422；形成在所述分隔壁下且以不与所述第一下部电极以及所述第二下部电极重叠的方式配置的屏蔽电极419。
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公开(公告)号：CN103137896A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210499269.X
申请日：2012-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5246 , B32B17/06 , C03C27/06 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/504 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/52 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5281 , H01L51/5284 , H01L2251/533 , H01L2251/5361 , Y10T428/23
Abstract: 本发明提供一种使用玻璃层贴合一对衬底而成的密封性能高的密封体。一种密封体，包括：第一面彼此相对的第一衬底及第二衬底；以及沿着第一衬底的第一面的外围设置的玻璃层，该玻璃层接触第一衬底及第二衬底并形成第一衬底与第二衬底之间的空间，其中，第一衬底具有角部，第一衬底的第一面的面积为第二衬底的第一面的面积以下，并且，在玻璃层与第一衬底的焊接区域和玻璃层与第二衬底的焊接区域中的至少一方中，角部的宽度大于边部的宽度。
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公开(公告)号：CN103137896B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201210499269.X
申请日：2012-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5246 , B32B17/06 , C03C27/06 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/504 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/52 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5281 , H01L51/5284 , H01L2251/533 , H01L2251/5361 , Y10T428/23
Abstract: 本发明提供一种使用玻璃层贴合一对衬底而成的密封性能高的密封体。一种密封体，包括：第一面彼此相对的第一衬底及第二衬底；以及沿着第一衬底的第一面的外围设置的玻璃层，该玻璃层接触第一衬底及第二衬底并形成第一衬底与第二衬底之间的空间，其中，第一衬底具有角部，第一衬底的第一面的面积为第二衬底的第一面的面积以下，并且，在玻璃层与第一衬底的焊接区域和玻璃层与第二衬底的焊接区域中的至少一方中，角部的宽度大于边部的宽度。
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公开(公告)号：CN103811528A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310534882.5
申请日：2013-11-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L51/52 , H01L51/56 , G02F1/1339
CPC classification number: G02F1/1339 , G02F1/13338 , G02F1/13452 , H01L27/3276 , H01L51/5246
Abstract: 所公开的发明的一个方式的目的之一是提供一种密封体，该密封体是使用低熔点玻璃密封的具有高气密性的密封体。一种密封体，其中在相对的两个衬底之间至少设置有布线层，该两个衬底由作为材料包含玻璃粉的密封层密封，并且在布线层与密封层重叠的区域中选择性地形成金属层。该金属层在激光的照射工序中用作激光的反射膜以抑制对重叠于布线层的区域的密封构件施加过剩能量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115719570A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211465529.1
申请日：2017-11-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G09F9/302 , G09F9/33 , G09F9/35 , G09F9/37 , G02B26/02 , H05B33/12 , H05B33/02 , H05B33/06
Abstract: 显示面板包括多个发光元件。来自第一发光元件的发光的CIE1931色度坐标x大于0.680且为0.720以下，CIE1931色度坐标y为0.260以上且0.320以下。来自第二发光元件的发光的CIE1931色度坐标x为0.130以上且0.250以下，CIE1931色度坐标y大于0.710且为0.810以下。在来自第三发光元件的发光的CIE1931色度坐标x为0.120以上且0.170以下，CIE1931色度坐标y为0.020以上且小于0.060。
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公开(公告)号：CN109952814A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201780070753.1
申请日：2017-11-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 显示面板包括多个发光元件。来自第一发光元件的发光的CIE1931色度坐标x大于0.680且为0.720以下，CIE1931色度坐标y为0.260以上且0.320以下。来自第二发光元件的发光的CIE1931色度坐标x为0.130以上且0.250以下，CIE1931色度坐标y大于0.710且为0.810以下。在来自第三发光元件的发光的CIE1931色度坐标x为0.120以上且0.170以下，CIE1931色度坐标y为0.020以上且小于0.060。
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公开(公告)号：CN103137895B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201210497402.8
申请日：2012-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5246 , B32B17/064 , C03C8/04 , C03C8/08 , C03C8/10 , C03C27/06 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/5044 , H01L51/525 , H01L51/5259 , H01L51/5262 , H01L51/5284 , H01L2251/5361 , Y10T428/239
Abstract: 本发明提供一种密封性能高且能够实现窄边框化的密封体。上述密封体包括：一对衬底，该一对衬底各自有一面有间隙地相对；以及玻璃层，该玻璃层接触一对衬底的双方而在一对衬底之间形成空间，并至少具有一个角部及从角部连续设置的边部，其中，玻璃层的角部的宽度为边部的宽度以下。上述密封体可以包括高可靠性发光元件，该发光元件具有设置在一对电极之间的包含发光有机化合物的层。
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公开(公告)号：CN109952814B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201780070753.1
申请日：2017-11-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 显示面板包括多个发光元件。来自第一发光元件的发光的CIE1931色度坐标x大于0.680且为0.720以下，CIE1931色度坐标y为0.260以上且0.320以下。来自第二发光元件的发光的CIE1931色度坐标x为0.130以上且0.250以下，CIE1931色度坐标y大于0.710且为0.810以下。在来自第三发光元件的发光的CIE1931色度坐标x为0.120以上且0.170以下，CIE1931色度坐标y为0.020以上且小于0.060。
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公开(公告)号：CN103811528B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201310534882.5
申请日：2013-11-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L51/52 , H01L51/56 , G02F1/1339
CPC classification number: G02F1/1339 , G02F1/13338 , G02F1/13452 , H01L27/3276 , H01L51/5246
Abstract: 所公开的发明的一个方式的目的之一是提供一种密封体，该密封体是使用低熔点玻璃密封的具有高气密性的密封体。一种密封体，其中在相对的两个衬底之间至少设置有布线层，该两个衬底由作为材料包含玻璃粉的密封层密封，并且在布线层与密封层重叠的区域中选择性地形成金属层。该金属层在激光的照射工序中用作激光的反射膜以抑制对重叠于布线层的区域的密封构件施加过剩能量。
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