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公开(公告)号：CN1490654A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03157973.6
申请日：2003-09-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2310/0297 , G09G2320/0233
Abstract: 提供一种减少亮度波动的具有模拟缓冲器电路的液晶显示装置。源信号线驱动电路具有多个模拟缓冲器电路，多个源信号线和多个模拟缓冲器电路构成电路组，每当开始新周期时，连接到模拟缓冲器电路的源信号线切换其到不同模拟缓冲器电路的连接。因此，模拟缓冲器电路之中的输出波动被平均化，并且可以在屏幕上显示均匀图像。
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公开(公告)号：CN100437304C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN03157973.6
申请日：2003-09-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2310/0297 , G09G2320/0233
Abstract: 提供一种减少亮度波动的具有模拟缓冲器电路的液晶显示装置。源信号线驱动电路具有多个模拟缓冲器电路，多个源信号线和多个模拟缓冲器电路构成电路组，每当开始新周期时，连接到模拟缓冲器电路的源信号线切换其到不同模拟缓冲器电路的连接。因此，模拟缓冲器电路之中的输出波动被平均化，并且可以在屏幕上显示均匀图像。
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公开(公告)号：CN114326211B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202210029583.5
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/13357 , G02F1/1343 , G02F1/136 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G09F9/30 , G09G3/36 , H10D86/40 , H10D30/67
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线；扫描线；第一电极；第二电极；第三电极；第一像素电极；第二像素电极；以及半导体膜，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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公开(公告)号：CN109449170B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201811513967.4
申请日：2013-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L27/02 , H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
Abstract: 本发明提供一种能够提高可靠性的新颖的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置，包括：设置在第一布线与第二布线之间的绝缘层，其中，绝缘层包括第一绝缘层以及以与第一绝缘层重叠的方式设置的第二绝缘层，绝缘层包括第二绝缘层的一部分被去除的区域，并且，该区域用作保护电路。另外，本发明的一个方式是一种显示装置，其中在绝缘层与晶体管所具有的半导体层重叠的区域中包括第一绝缘层及第二绝缘层。另外，本发明的一个方式是一种显示装置，其中在将第一布线与第二布线直接连接的区域中包括第一绝缘层及第二绝缘层被去除的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114361180A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111285522.7
申请日：2016-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极；第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括：第一漏电极；第一漏电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极；第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN107123653B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201710363003.5
申请日：2012-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 半导体装置。本发明的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的成品率的降低的半导体装置，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的栅电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。
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公开(公告)号：CN110544436B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201910839607.1
申请日：2015-09-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G09F9/302 , G09F9/33 , G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/1333 , H01L27/32
Abstract: 本发明提供一种具有极高的分辨率、高显示质量、高开口率的显示装置。像素包括三个子像素，且与两个栅极线电连接。栅极线中的一个与两个子像素各自所具有的晶体管的栅极电连接，另一个栅极线与其他子像素所具有的晶体管的栅极电连接。三个子像素的各显示元件在相同方向上排列。三个子像素的三个像素电极在相同方向上排列。
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公开(公告)号：CN107104109B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201710362808.8
申请日：2012-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 半导体装置。本发明的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的成品率的降低的半导体装置，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的栅电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。
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公开(公告)号：CN107111985B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201580071439.6
申请日：2015-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/30 , G09F9/00 , G09F9/30 , G09G3/20 , H01L21/363 , H01L21/8234 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/06 , H05B33/12
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是抑制因环境温度变化所引起的流过发光元件的电流的变动而产生的亮度不均匀。利用监控电路控制流过像素部所包括的第一发光元件的电流。监控电路包括第二发光元件、晶体管、电阻器以及放大电路。第二发光元件的阳极与晶体管的源极连接。第二发光元件的阴极与电阻器及放大电路的第一输入端子连接。放大电路的第二输入端子与第二电源线连接。放大电路的输出端子与晶体管的栅极连接。晶体管的漏极与第三电源线连接。晶体管和电阻器都包括氧化物半导体膜。
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