公开(公告)号：CN1188243A

公开(公告)日：1998-07-22

申请号：CN97126116.4

申请日：1997-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 立崎舜平 ,  小山润 ,  尾形靖

IPC: G02F1/00

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 使用薄膜晶体管(TFT)获得具有高特性的激励电路一体型(单片型)的有源矩阵显示器件。通过在非晶质硅膜203中一边添加镍元素,一边进行加热处理使其结晶化,并且还在含有卤素元素的氧化性气氛中进行加热处理,形成热氧化膜209。此时,可改善结晶性、对镍元素去气。用这样得到的硅结晶膜制作TFT,用此构成各种电路,能够获得驱动点数为5万以上300万以下的有源矩阵电路的数据激励器电路。

公开(公告)号：CN100347822C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200410102238.1

申请日：1997-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 立崎舜平 ,  小山润 ,  尾形靖

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136 ,  G02F1/00 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 使用薄膜晶体管(TFT)获得具有高特性的激励电路一体型(单片型)的有源矩阵显示器件。通过在非晶质硅膜203中一边添加镍元素，一边进行加热处理使其结晶化，并且还在含有卤素元素的氧化性气氛中进行加热处理，形成热氧化膜209。此时，可改善结晶性、对镍元素去气。用这样得到的硅结晶膜制作TFT，用此构成各种电路，能够获得驱动点数为5万以上300万以下的有源矩阵电路的数据激励器电路。

公开(公告)号：CN1624875A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410102238.1

申请日：1997-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 立崎舜平 ,  小山润 ,  尾形靖

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136 ,  G02F1/00 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 使用薄膜晶体管(TFT)获得具有高特性的激励电路一体型(单片型)的有源矩阵显示器件。通过在非晶质硅膜203中一边添加镍元素，一边进行加热处理使其结晶化，并且还在含有卤素元素的氧化性气氛中进行加热处理，形成热氧化膜209。此时，可改善结晶性、对镍元素去气。用这样得到的硅结晶膜制作TFT，用此构成各种电路，能够获得驱动点数为5万以上300万以下的有源矩阵电路的数据激励器电路。

公开(公告)号：CN1188738C

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN97126116.4

申请日：1997-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 立崎舜平 ,  小山润 ,  尾形靖

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 使用薄膜晶体管(TFT)获得具有高特性的激励电路一体型(单片型)的有源矩阵显示器件。通过在非晶质硅膜203中一边添加镍元素，一边进行加热处理使其结晶化，并且还在含有卤素元素的氧化性气氛中进行加热处理，形成热氧化膜209。此时，可改善结晶性、对镍元素去气。用这样得到的硅结晶膜制作TFT，用此构成各种电路，能够获得驱动点数为5万以上300万以下的有源矩阵电路的数据激励器电路。