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公开(公告)号：CN112955946B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201980073616.2
申请日：2019-10-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20 , G09G3/3233 , G09G3/3275 , G09G3/36
Abstract: 提供一种包括低功耗的驱动器且由像素升高该驱动器的输出电压的显示装置。该显示装置包括逻辑部与放大器部以同一低电压适当地工作的源极驱动器，像素具有保持第一数据的功能，并且具有将第一数据和第二数据相加来生成第三数据而将第三数据供应给显示器件的功能。因此，由于即使从源极驱动器输出的电压低也可以由像素升压，所以可以适当地使显示器件工作。
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公开(公告)号：CN116913926A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310368606.X
申请日：2023-04-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L27/088
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。提供一种包括纵向沟道型晶体管的单极性半导体装置。通过将在纵向沟道型晶体管的栅极源极间寄生电容和栅极漏极间寄生电容中电容值大的寄生电容用于自举电容，实现占有面积小的半导体装置。通过作为纵向沟道型晶体管的半导体层使用氧化物半导体，源极与漏极间的绝缘耐压变高，可以使沟道长度变短。此外，在高温环境下也可以实现稳定工作。
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公开(公告)号：CN118139454A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311618076.6
申请日：2023-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/12 , G09G3/32 , G09G3/3233 , H10K59/131 , H01L27/12
Abstract: 提供一种新颖半导体装置、显示装置及半导体装置的驱动方法。第二晶体管的栅极与第一晶体管的源极和漏极中的一个及第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接，第二晶体管的背栅极与第四晶体管的源极和漏极中的一个及第一电容器的一个端子电连接，第二晶体管的源极和漏极中的一个与第三晶体管的源极和漏极中的另一个、第一电容器的另一个端子及发光元件的一个端子电连接，第一晶体管、第三晶体管、第四晶体管中的半导体层的一部分分别设置在形成于绝缘层中的开口中。
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公开(公告)号：CN115885389A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202180052440.X
申请日：2021-08-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种功能性高的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管包括第一半导体层、第一栅电极、第一电极及第二电极。第二晶体管包括第二半导体层、第二栅电极、第三电极及第四电极。第一栅电极与第二栅电极连接，第二电极与第三电极连接。第一半导体层上层叠有第一绝缘层、第二绝缘层和第二半导体层。第一绝缘层与第二绝缘层相比不容易扩散氢。第二绝缘层包含氧化物，第一半导体层包含多晶硅，第二半导体层包含金属氧化物。第一晶体管是p型晶体管，第二晶体管是n型晶体管。
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公开(公告)号：CN115427924A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180029094.3
申请日：2021-04-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种能够在短时间内进行识别的显示装置。该显示装置包括将第一像素排列为矩阵状的第一显示部、将第二像素排列为矩阵状的第二显示部、第一及第二行驱动器电路以及控制电路，第一及第二像素包括受光元件。第一及第二像素具有使用受光元件获取拍摄数据的功能，第一及第二行驱动器电路具有分别选择要读出拍摄数据的第一及第二像素的功能。控制电路具有根据第一模式而依次驱动第一及第二行驱动器电路的功能，并具有根据第二模式而基于拍摄数据驱动第一及第二行驱动器电路中的一个的功能。第一模式中的第一及第二行驱动器电路的扫描速度比第二模式中的第一或第二行驱动器电路的扫描速度快。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117059623A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310532360.5
申请日：2023-05-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种能够实现微型化或电特性良好的晶体管、半导体装置、显示装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及绝缘层。第一晶体管包括第一半导体层、第一导电层。第二晶体管包括第二半导体层、第二导电层。绝缘层具有第一导电层上的第一侧面及第二导电层上的第二侧面。栅极绝缘层具有隔着第一半导体层相对于第一侧面的部分以及隔着第二半导体层相对于第二侧面的部分。栅电极具有隔着栅极绝缘层及第一半导体层相对于第一侧面的部分以及隔着栅极绝缘层及第二半导体层相对于第二侧面的部分。第一半导体层与第二半导体层在绝缘层上电连接。
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公开(公告)号：CN116529755A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180072911.3
申请日：2021-10-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06T1/00
Abstract: 提供一种能够短时间进行识别的半导体装置。该半导体装置包括发光装置及摄像装置。摄像装置包括行驱动电路，行驱动电路包括第一至第m锁存电路(m为2以上的整数)及第一至第m寄存电路。第一锁存电路被输入第一起始脉冲信号，第一至第m锁存电路被输入第二起始脉冲信号。从第一至第m‑1寄存电路输出的扫描信号分别被输入到第二至第m锁存电路。第一锁存电路具有基于所保持的数据将第一起始脉冲信号和第二起始脉冲信号中的一个输出到第一寄存电路的功能。第二至第m锁存电路具有基于所保持的数据将扫描信号和第二起始脉冲信号中的一个输出到第二至第m寄存电路的功能。
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公开(公告)号：CN119678669A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380058071.4
申请日：2023-07-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10D30/67 , H10D30/01 , H10D84/01 , H10D84/83 , H10D84/00 , G09F9/00 , G09F9/30 , G09G3/20 , G09G3/3225 , G11C19/28 , H03K3/356 , H03K19/0175 , H03K19/094
Abstract: 提供一种新颖信号输出电路。本发明是包括具有纵向沟道型晶体管的信号输出电路的移位寄存器。通过将纵向沟道型晶体管的栅极‑源极间寄生电容和栅极漏极间寄生电容中的电容值较大的一个用作自举电容，实现占有面积小的信号输出电路。通过将氧化物半导体用于纵向沟道型晶体管的半导体层，源极和漏极间的绝缘耐压得到提高，可以缩短沟道长度。另外，在高温环境下也可以实现稳定的工作。
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公开(公告)号：CN119343714A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380034301.3
申请日：2023-04-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , H05B44/00 , H10K59/123 , H10K59/124 , H10K59/127 , H10K59/131
Abstract: 提供一种边框窄的小型显示装置。该显示装置层叠有驱动电路及像素电路，具有第一层至第三层的叠层，驱动电路设在第一层及第二层，像素电路设在第三层。第一层包括在半导体层中包含硅的晶体管，第二层及第三层包括在半导体层中包含金属氧化物的晶体管。此外，第二层所包括的晶体管的沟道长度比第三层所包括的晶体管的沟道长度短，具有适合电路的高速工作的结构。
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公开(公告)号：CN112955946A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980073616.2
申请日：2019-10-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20 , G09G3/3233 , G09G3/3275 , G09G3/36
Abstract: 提供一种包括低功耗的驱动器且由像素升高该驱动器的输出电压的显示装置。该显示装置包括逻辑部与放大器部以同一低电压适当地工作的源极驱动器，像素具有保持第一数据的功能，并且具有将第一数据和第二数据相加来生成第三数据而将第三数据供应给显示器件的功能。因此，由于即使从源极驱动器输出的电压低也可以由像素升压，所以可以适当地使显示器件工作。
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