公开(公告)号：CN1206737C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN97102280.1

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山﨑舜平 ,  寺本聡 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。