公开(公告)号：CN1474466A

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN03138280.0

申请日：2003-05-30

Applicant: 株式会社光波

Inventor： 一之濑升 ,  岛村清史 ,  金子由基夫 ,  恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 ,  青木和夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/42 ,  C30B15/00 ,  C30B15/34 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265

Abstract: 本发明提供一种发光元件及其制造方法，利用该方法能够得到从可见区透过紫外区光的无色透明的导电体，该导电体可用于基板作为垂直结构，可将基板一侧作为取光面。在可控制的气体保护高温炉中设置坩埚(6)，坩埚(6)中装有原料熔液(9)和具有缝隙(8a)的缝模(8)，原料熔液(9)利用毛细管现象连续沿缝隙(8a)上升到熔液表面，通过缝模(8)和坩埚(6)，用EFG法培养截面形状与上述缝模(8)的上面相同的单晶体，如此将原料熔液(9)制造成基板。在该基板上，用MOCVD法生长III－V族、II－VI族、或两者的薄膜。

公开(公告)号：CN101320780B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200810128878.8

申请日：2003-05-30

Applicant: 株式会社光波

Inventor： 一之濑升 ,  岛村清史 ,  金子由基夫 ,  恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 ,  青木和夫

IPC: H01L33/00 ,  C30B15/00 ,  C30B15/34

CPC classification number: H01L33/42 ,  C30B15/00 ,  C30B15/34 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265

Abstract: 本发明涉及一种发光元件，所述发光元件包括：Ga2O3基板；n型AlzGa1-zN包覆层，形成在所述Ga2O3基板的第一表面上，其中0≤z＜1；InmGa1-mN发光层，形成在所述n型AlGaN包覆层上，其中0≤m＜1；p型AlpGa1-pN包覆层，形成在所述InGaN发光层上，其中0≤p＜1，且p＞z；n电极，设置在所述Ga2O3基板的第二表面上；和p电极，设置在所述p型AlpGa1-pN包覆层上。

公开(公告)号：CN101320780A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810128878.8

申请日：2003-05-30

Applicant: 株式会社光波

Inventor： 一之濑升 ,  岛村清史 ,  金子由基夫 ,  恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 ,  青木和夫

IPC: H01L33/00 ,  C30B15/00 ,  C30B15/34

CPC classification number: H01L33/42 ,  C30B15/00 ,  C30B15/34 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265

Abstract: 本发明涉及一种发光元件，所述发光元件包括：Ga2O3基板；n型AlzGa1－zN包覆层，形成在所述Ga2O3基板的第一表面上，其中0≤z＜1；InmGa1－mN发光层，形成在所述n型AlGaN包覆层上，其中0≤m＜1；p型AlpGa1－pN包覆层，形成在所述InGaN发光层上，其中0≤p＜1，且p＞z；n电极，设置在所述Ga2O3基板的第二表面上；和p电极，设置在所述p型AlpGa1－pN包覆层上。

公开(公告)号：CN100405618C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN03138280.0

申请日：2003-05-30

Applicant: 株式会社光波

Inventor： 一之濑升 ,  岛村清史 ,  金子由基夫 ,  恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 ,  青木和夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明提供一种发光元件及其制造方法，利用该方法能够得到从可见区透过紫外区光的无色透明的导电体，该导电体可用于基板作为垂直结构，可将基板一侧作为取光面。在可控制的气体保护高温炉中设置坩埚(6)，坩埚(6)中装有原料熔液(9)和具有缝隙(8a)的缝模(8)，原料熔液(9)利用毛细管现象连续沿缝隙(8a)上升到熔液表面，通过缝模(8)和坩埚(6)，用EFG法培养截面形状与上述缝模(8)的上面相同的单晶体，如此将原料熔液(9)制造成基板。在该基板上，用MOCVD法生长III-V族、II-VI族、或两者的薄膜。