公开(公告)号：CN101944479B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201010220837.9

申请日：2010-07-01

Applicant: 株式会社东芝 ,  纽富来科技股份有限公司

Inventor： 东真也 ,  平田博信

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68785 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明提供一种基座、成膜装置及成膜方法。根据本实施方式，基座具有：环状的第1基座部，支承硅晶片的外周部；和第2基座部，与第1基座部的外周部相接设置，并遮挡第1基座部的开口部分。第2基座部被配置成为在硅晶片被支承在第1基座部上的状态下，使第2基座部与硅晶片之间形成预定间隔H的间隙，并且被配置成为在第2基座部与第1基座部之间也形成与上述间隙相连续的、而且间隔与预定间隔实质上相同的间隙。

公开(公告)号：CN101944479A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010220837.9

申请日：2010-07-01

Applicant: 株式会社东芝 ,  纽富来科技股份有限公司

Inventor： 东真也 ,  平田博信

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68785 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明提供一种基座、成膜装置及成膜方法。根据本实施方式，基座具有：环状的第1基座部，支承硅晶片的外周部；和第2基座部，与第1基座部的外周部相接设置，并遮挡第1基座部的开口部分。第2基座部被配置成为在硅晶片被支承在第1基座部上的状态下，使第2基座部与硅晶片之间形成预定间隔H的间隙，并且被配置成为在第2基座部与第1基座部之间也形成与上述间隙相连续的、而且间隔与预定间隔实质上相同的间隙。