半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119866545A

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202480003934.2

    申请日:2024-03-04

    Abstract: 实施方式的半导体装置具备:压片(60),具有设置有多个焊盘(618)的第一面;第一接合材料,设置在第一面上;以及第一金属板(20),设置在第一接合材料上,与多个焊盘(618)电连接,包含与第一面对置的第二面和设置于第二面的多个突起部(211),多个突起部(211)分别与多个焊盘(618)中的排列有多个焊盘的方向上的一端的焊盘(618A)以及另一端的焊盘(618B)对置。

    磁性材料及设备
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105448446A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201510540828.0

    申请日:2015-08-28

    CPC classification number: H01F27/255 H01F1/28 H01F1/37 H01F41/0246

    Abstract: 实施方式涉及一种磁性材料和设备,所述磁性材料是具备含有磁性金属的多个扁平粒子、以及配置在扁平粒子周围且电阻比扁平粒子高的基质相的磁性材料,在磁性材料的截面,扁平粒子的长宽比为10以上,当将扁平粒子的长径设定为L、将连接扁平粒子的2个端点的直线长度设定为W时,将满足W≤0.95×L的扁平粒子连续层叠的部分的外周包围的面积的比例是截面的面积的10%以上。

    磁性材料及磁性材料的制造方法

    公开(公告)号:CN104658733B

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201510024354.4

    申请日:2012-08-31

    Abstract: 本发明的实施方式的磁性材料具有磁性粒子,所述磁性粒子含有:平均粒径为1nm以上且100nm以下且包含选自由Fe、Co、Ni组成的组中的至少1种磁性金属的金属纳米粒子、以及存在于所述金属纳米粒子间且包含选自Mg、Al、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、Mn、Ba、Sr、Cr、Mo、Ag、Ga、Sc、V、Y、Nb、Pb、Cu、In、Sn、稀土类元素中的至少1种非磁性金属和氧(O)、氮(N)、或碳(C)中的任一种的第1夹杂相,所述磁性粒子是平均短尺寸为10nm以上且1μm以下、平均纵横尺寸比为5以上的形状的粒子集合体,所述金属纳米粒子的体积填充率相对于所述粒子集合体整体为40体积%以上且80体积%以下。

    磁性材料及其制造方法及使用了磁性材料的感应器元件

    公开(公告)号:CN102969109B

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN201210320274.X

    申请日:2012-08-31

    Abstract: 本发明提供磁性材料、磁性材料的制造方法及使用了磁性材料的感应器元件。该磁性材料具备:含有选自由Fe、Co、Ni组成的组中的至少1种磁性金属、粒径为1μm以上且平均粒径为5μm以上且50μm以下的多个第1磁性粒子;含有选自由Fe、Co、Ni组成的组中的至少1种磁性金属、粒径低于1μm且平均粒径为5nm以上且50nm以下的多个第2磁性粒子;存在于第1磁性粒子及第2磁性粒子间的夹杂相;存在于多个第1磁性粒子与多个第2磁性粒子与夹杂相之间的粘结材料,夹杂相将所述第2磁性粒子的至少一部分被覆而形成复合粒子,所述复合粒子是所述第2磁性粒子分别具有所述夹杂相的被覆层的核壳型粒子或者所述多个第2磁性粒子被所述夹杂相被覆的纳米颗粒型复合粒子。

    磁性材料及设备
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104465005A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410465396.7

    申请日:2014-09-12

    CPC classification number: H01F1/22 H01F1/24 H01F3/08

    Abstract: 实施方式的磁性材料的特征在于,其具备:含有选自由Fe、Co及Ni构成的第1组中的至少1种元素的磁性金属粒子;与磁性金属粒子相接触且含有选自由Al2O3、SiO2及TiO2构成的第2组中的至少1种氧化物的柱状氧化物粒子;以及磁性金属粒子和柱状氧化物粒子的周围的、电阻比磁性金属粒子高的基质相,当将磁性金属粒子的粒径设为R、将柱状氧化物粒子的长径设为L、将柱状氧化物粒子的短径设为l时,5nm≤l≤L、0.002≤L/R≤0.4。

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