公开(公告)号：CN114078960A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110053974.6

申请日：2021-01-15

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 财满康太郎 ,  西川幸江 ,  足立绘美子

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48

Abstract: 实施方式提供一种高耐压以及低导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体部；所述半导体部的背面上的第一电极；表面上的第二电极；设于所述半导体部的表面侧的第一沟槽的内部的第三电极；位于所述第二电极与所述第三电极之间的控制电极；设于与所述第一沟槽并列的第二沟槽的内部的第2第三电极；以及设于与所述第一及所述第二沟槽并列的第三沟槽的内部的第3第三电极。所述第一沟槽及所述第二沟槽在与沿着所述半导体部的所述表面的第一方向上的各自的端部相连的连接部中彼此相连，所述第三电极及所述第2第三电极以在所述连接部中彼此相连的方式设置。所述第3第三电极沿所述第一方向延伸，比所述第一沟槽及所述第二沟槽各自的所述端部延伸得更长。

公开(公告)号：CN114171471A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110093260.8

申请日：2021-01-25

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 足立绘美子 ,  西川幸江 ,  财满康太郎

IPC: H01L23/34 ,  H01L29/739 ,  G01K7/01

Abstract: 实施方式提供一种适当地配置了温度传感器的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体部；设于所述半导体部的背面上的第一电极；设于所述半导体部的表面侧且相互分离的多个第二电极；设于所述半导体部与所述多个第二电极的各个之间的控制电极；覆盖所述半导体部的所述表面侧并具有使所述多个第二电极露出的多个开口的树脂层；以及设于所述半导体部与所述树脂层之间并位于所述半导体部的所述表面的中央的传感器元件。所述树脂层的所述多个开口分别具有至少四个被倒圆的角。所述传感器元件设于所述树脂层的被所述多个开口中的至少三个开口包围的区域与所述半导体部之间。

公开(公告)号：CN114078960B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202110053974.6

申请日：2021-01-15

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 财满康太郎 ,  西川幸江 ,  足立绘美子

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48

Abstract: 实施方式提供一种高耐压以及低导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体部；所述半导体部的背面上的第一电极；表面上的第二电极；设于所述半导体部的表面侧的第一沟槽的内部的第三电极；位于所述第二电极与所述第三电极之间的控制电极；设于与所述第一沟槽并列的第二沟槽的内部的第2第三电极；以及设于与所述第一及所述第二沟槽并列的第三沟槽的内部的第3第三电极。所述第一沟槽及所述第二沟槽在与沿着所述半导体部的所述表面的第一方向上的各自的端部相连的连接部中彼此相连，所述第三电极及所述第2第三电极以在所述连接部中彼此相连的方式设置。所述第3第三电极沿所述第一方向延伸，比所述第一沟槽及所述第二沟槽各自的所述端部延伸得更长。