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公开(公告)号:CN116153343B
公开(公告)日:2025-05-23
申请号:CN202310142072.9
申请日:2020-12-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor: 矶川博
Abstract: 实施方式提供能够考虑磁头的定位精度来增加记录容量的磁盘装置。实施方式的磁盘装置,具备:多个磁盘,其具有记录层,在同轴上空开间隔来排列配置;和多个磁头,其具有对于所述记录层产生垂直方向的记录磁场的磁极,沿着所述磁盘的并列方向空开间隔来排列配置,根据表示所述磁盘的盖写特性的指标值对所述磁盘进行分类而得到的多个组群中,所述指标值越高的所述磁盘所属于的组群,配置在从所述并列方向上的中央附近离得越远的靠外位置。
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公开(公告)号:CN116153342B
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202310142043.2
申请日:2020-12-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor: 矶川博
Abstract: 实施方式提供能够考虑磁头的定位精度来增加记录容量的磁盘装置。实施方式的磁盘装置,具备:多个磁盘,其具有记录层,在同轴上空开间隔来排列配置;和多个磁头,其具有对于所述记录层产生垂直方向的记录磁场的磁极,沿着所述磁盘的并列方向空开间隔来排列配置,根据通过所述磁头对所述记录层的记录磁道进行了磁记录时超出到与所述记录磁道相邻的相邻记录磁道而进行磁记录的比例来对所述磁头进行了分类而得到的多个组群中,所述比例越高的所述磁头所属于的组群,配置在从所述并列方向上的中央附近离得越远的靠外位置。
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公开(公告)号:CN113035245B
公开(公告)日:2022-10-25
申请号:CN202010564583.6
申请日:2020-06-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor: 矶川博
Abstract: 实施方式提供能够提高可靠性的磁盘装置以及写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备:盘,其具有第1区域、和临时写入数据的第2区域;头,其具有向所述盘写入数据的写头、和产生提高所述写头的写性能的能量的辅助元件;以及控制器,其对所述辅助元件供给第1值的能量而向所述第1区域写入数据,对所述辅助元件供给不同于所述第1值的第2值的能量而向所述第2区域写入数据。
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公开(公告)号:CN112309436B
公开(公告)日:2022-01-07
申请号:CN202010026539.X
申请日:2020-01-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor: 矶川博
Abstract: 实施方式提供能够提高数据的可靠性的磁盘装置以及写处理方法。实施方式涉及的磁盘装置具备:盘;头,其具有向所述盘写入数据的第1写头及第2写头、和从所述盘读取数据的读头;以及控制器,其由所述第1写头将写数据写入到所述盘的第1区域,由所述第2写头将所述写数据覆写于在所述第1区域内由所述第1写头写入的所述写数据。
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公开(公告)号:CN113674770A
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN202011610120.5
申请日:2020-12-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor: 矶川博
Abstract: 实施方式提供能够考虑磁头的定位精度来增加记录容量的磁盘装置。实施方式的磁盘装置具备:多个磁盘,其具有记录层,在同轴上空开间隔来排列配置;和多个磁头,其具有对于所述记录层产生垂直方向的记录磁场的磁极,沿着所述磁盘的并列方向空开间隔来排列配置。多个所述磁头中,形成于所述记录层的记录磁道的宽度方向上的所述磁极的磁极宽度越宽的所述磁头、或者能够读出通过所述磁头对所述记录层进行了磁记录的区域的磁特性的所述宽度方向上的区域宽度越宽的所述磁头,配置在从所述并列方向上的中央附近离得越远的靠外位置。
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公开(公告)号:CN111435599B
公开(公告)日:2021-08-10
申请号:CN201910806174.X
申请日:2019-08-29
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor: 矶川博
IPC: G11B5/02
Abstract: 至少一个实施方式提供一种磁盘驱动器,其记录质量可以得到改善。根据一个实施方式,磁盘驱动器包括:磁盘;磁头,其构成为从所述磁盘读取数据和/或向所述磁盘写入数据;信号处理电路,其构成为将要记录到所述磁盘上的数据转换为写信号,并且将所述写信号输出至所述磁头,所述磁头生成与所述写信号相应的记录磁场;以及记录控制电路,其构成为控制所述信号处理电路和所述磁头来利用具有第一频率的记录磁场在所述磁盘的目标记录区域记录第一数据,并且利用具有高于所述第一频率的第二频率的记录磁场在所述第一数据上写入与所述第一数据不同的第二数据。
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公开(公告)号:CN113035245A
公开(公告)日:2021-06-25
申请号:CN202010564583.6
申请日:2020-06-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor: 矶川博
Abstract: 实施方式提供能够提高可靠性的磁盘装置以及写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备:盘,其具有第1区域、和临时写入数据的第2区域;头,其具有向所述盘写入数据的写头、和产生提高所述写头的写性能的能量的辅助元件;以及控制器,其对所述辅助元件供给第1值的能量而向所述第1区域写入数据,对所述辅助元件供给不同于所述第1值的第2值的能量而向所述第2区域写入数据。
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公开(公告)号:CN109979496A
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201810605621.0
申请日:2018-06-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor: 矶川博
IPC: G11B20/18
Abstract: 实施方式提供能够提高数据可靠性的磁盘装置和刷新处理方法。本实施方式的磁盘装置具有:盘;头,其向所述盘写入数据,从所述盘读取数据;以及控制器,其检测当前读取出的第1数据的第1误码率,在所述第1误码率相对于在检测所述第1误码率之前读取出的第1数据的第2误码率的第1变化量为第1阈值以上的情况下,将第1写入次数修正为第2写入次数,所述第1写入次数是向在所述盘的半径方向上与被写入了第2数据的第1磁道相邻的磁道进行了写入的写入次数,在所述第2写入次数为第2阈值以上的情况下,将写入到所述第1磁道的所述第2数据重写。
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