公开(公告)号：CN111725182B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201910738276.2

申请日：2019-08-12

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 山下浩明 ,  小野升太郎 ,  一条尚生 ,  河本隆史

IPC: H01L23/552 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式提供一种能够降低电磁干涉噪声及开关损耗的半导体装置及其控制方法。实施方式的半导体装置具备半导体部、设置在所述半导体部的正面上的电极、和设置在所述半导体部与所述电极之间的多个沟槽型控制电极。所述半导体部包括第1导电型的第1层、第2导电型的第2层、第2导电型的第3层、第1导电型的第4层、第2导电型的第5层和第1导电型的第6层。所述第3层设置在所述第1层与所述电极之间。所述第4及第5层分别有选择地设置在所述第3层与所述电极之间。所述第4层经由所述绝缘膜面对所述控制电极中的第1控制电极，所述第5层经由所述绝缘膜面对第2控制电极。

公开(公告)号：CN111725182A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910738276.2

申请日：2019-08-12

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 山下浩明 ,  小野升太郎 ,  一条尚生 ,  河本隆史

IPC: H01L23/552 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式提供一种能够降低电磁干涉噪声及开关损耗的半导体装置及其控制方法。实施方式的半导体装置具备半导体部、设置在所述半导体部的正面上的电极、和设置在所述半导体部与所述电极之间的多个沟槽型控制电极。所述半导体部包括第1导电型的第1层、第2导电型的第2层、第2导电型的第3层、第1导电型的第4层、第2导电型的第5层和第1导电型的第6层。所述第3层设置在所述第1层与所述电极之间。所述第4及第5层分别有选择地设置在所述第3层与所述电极之间。所述第4层经由所述绝缘膜面对所述控制电极中的第1控制电极，所述第5层经由所述绝缘膜面对第2控制电极。