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公开(公告)号：CN118676205A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310772407.5
申请日：2023-06-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/40
Abstract: 实施方式提供能够抑制半导体装置的厚度并且实现高耐压的半导体装置及功率变换装置。本实施方式的半导体装置具备第1区域、第2区域、第3区域和栅极区域。第1区域是在半导体基板的一方的主面侧的表面层形成的第1导电型。第2区域是在表面层的与第1区域不同的区域形成的第2导电型。第3区域形成在表面层的第1区域与第2区域之间，具有规定的杂质浓度分布。栅极区域隔着栅极氧化物层形成在第3区域的一端。第3区域具有与栅极区域的位置相应的杂质浓度分布的第1变更区域。
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