公开(公告)号：CN115995461A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202210876295.3

申请日：2022-07-25

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 藤原真美 ,  市川圣久

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29

Abstract: 实施方式提供改善高频特性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：绝缘部件；受光元件，安装于绝缘部件的表面上；发光元件，安装于受光元件上，并与受光元件光耦合；开关元件，在绝缘部件的表面上与受光元件并排，并与受光元件电连接；第一金属端子，设于绝缘部件的与表面为相反侧的背面上，并与发光元件电连接；第二金属端子，设于绝缘部件的背面上，并与开关元件电连接；金属反射板，在绝缘部件的表面上，设于受光元件的附近；第一树脂部件，在受光元件上覆盖发光元件；以及第二树脂部件，在绝缘部件的表面上覆盖受光元件发光元件、第一树脂部件、开关元件以及金属反射板。

公开(公告)号：CN117690881A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202310032106.9

申请日：2023-01-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 市川圣久

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具备：绝缘基材，具有第一面、以及作为与所述第一面为相反侧的背面的第二面；多个金属焊盘，设于所述绝缘基材的所述第一面上，被相互分离地配置；半导体元件，设于所述多个金属焊盘中的一个之上；第一树脂，设于所述绝缘基材的所述第一面上，将设有所述多个金属焊盘的区域以外的所述第一面覆盖；以及第二树脂，设于所述绝缘基材的所述第一面侧，在所述第一面上将所述半导体元件密封，与所述第一树脂相接。