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公开(公告)号：CN117083256B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202380010379.1
申请日：2023-03-03
IPC: C04B35/587 , F16C33/34 , F16C33/32
Abstract: 提供提高了耐磨性的氮化硅烧结体及使用了其的耐磨性构件。实施方式的氮化硅烧结体具备氮化硅结晶粒子及晶界相。在任意的截面的20μm×20μm的区域中，上述氮化硅结晶粒子的固溶氧量的平均值为0.2wt％以上。在任意的截面的50μm×50μm的区域中，上述氮化硅结晶粒子的长径的平均值为0.1μm以上且10μm以下，上述氮化硅结晶粒子的长宽比的平均值为1.5以上且10以下。
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公开(公告)号：CN103764596B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201280043049.4
申请日：2012-09-04
IPC: C04B35/584 , F16C19/02 , F16C33/32
CPC classification number: F16C19/06 , C04B35/5935 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3826 , C04B2235/3839 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3882 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , F16C33/32 , F16C2202/04 , F16C2202/10 , F16C2206/44 , F16C2206/60 , F16C2220/20
Abstract: 本发明提供氮化硅烧结体，实施方式的氮化硅烧结体含有：铝，以氧化物换算量计为2～10质量%的范围；R元素，为选自稀土元素中的至少一种，以氧化物换算量计为1～5质量%的范围；M元素，为选自IVA族元素、VA族元素和VIA族元素中的至少一种，以氧化物换算量计为1～5质量%的范围。铝的含量与R元素的含量之比以氧化物换算量计为2：1～5：1的范围，且铝的含量与M元素的含量之比以氧化物换算量计为2：1～10：1的范围。实施方式的氮化硅烧结体作为轴承滚珠这样的耐磨部件使用。
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公开(公告)号：CN119874385A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510083297.0
申请日：2022-03-28
IPC: C04B35/587 , F16C33/32 , G01N21/65 , C04B35/593 , C04B35/645 , C04B35/622
Abstract: 实施方式的氮化硅烧结体的特征在于，其具备氮化硅结晶粒子及晶界相，在上述氮化硅烧结体的任意的截面中对20μm×20μm的区域进行拉曼光谱分析的情况下，在400cm‑1以上且1200cm‑1以下的范围内检测到7个以上的峰，上述7个以上的峰的最强峰不在515cm‑1以上且525cm‑1以下的范围内。此外，上述7个以上的峰中的至少3个优选在530cm‑1以上且830cm‑1以下的范围内。上述7个以上的峰中的至少1个优选在440cm‑1以上且460cm‑1以下的范围内。
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公开(公告)号：CN119822852A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510170591.5
申请日：2023-03-03
IPC: C04B35/587 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 提供提高了耐磨性的氮化硅烧结体及使用了其的耐磨性构件。实施方式的氮化硅烧结体具备氮化硅结晶粒子及晶界相。在任意的截面的20μm×20μm的区域中，上述氮化硅结晶粒子的固溶氧量的平均值为0.2wt％以上。在任意的截面的50μm×50μm的区域中，上述氮化硅结晶粒子的长径的平均值为0.1μm以上且10μm以下，上述氮化硅结晶粒子的长宽比的平均值为1.5以上且10以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117794883A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280053227.5
申请日：2022-08-30
IPC: C04B35/587 , H05K1/03
Abstract: 实施方式的高导热性氮化硅烧结体，具备氮化硅晶粒及晶界相，所述氮化硅烧结体的导热率为80W/(m·K)以上。任意截面中单位面积20μm×20μm上存在的所述氮化硅晶粒的固溶氧量的平均值为0.2wt％以下。任意截面中单位面积50μm×50μm上存在的所述氮化硅晶粒的长径的平均值为1μm以上10μm以下。所述单位面积50μm×50μm上存在的所述氮化硅晶粒的长宽比的平均值为2以上10以下。
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公开(公告)号：CN110520398A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201880025596.7
申请日：2018-04-17
IPC: C04B35/587 , H01L23/373 , H05K1/03
Abstract: 本发明的烧结体具备包含氮化硅的晶粒和晶界相。在一边对烧结体施加交流电压一边使交流电压的频率从50Hz到1MHz连续地变化而测定烧结体的介质损耗时，800kHz～1MHz的频带下的上述介质损耗的平均值εA和100Hz～200Hz的频带下的上述介质损耗的平均值εB满足式：|εA-εB|≤0.1。
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公开(公告)号：CN1191604C
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02106470.9
申请日：2002-02-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01J29/896 , Y10T428/31663
Abstract: 一种显示装置，具有荧光屏面和由上述荧光屏面上形成的3层以上的层构成的的多层抗反射抗静电膜。上述多层抗反射抗静电膜从上述荧光屏面一侧起顺序具有吸收层、导电层和保护层。上述吸收层含有至少一种有机色素、SiO2和有机硅烷偶合剂，而且上述有机硅烷偶合剂的含有量相对于上述SiO2和上述有机色素的固形部分总计重量为7倍量以下。理想的是上述有机硅烷偶合剂具有从烷基、乙烯基、苯基、环氧基、羰基、醚基、羧基、酯基、巯基、酰胺基、氨基、氰基和硝基中选出的至少一个官能团。本发明的显示装置不用大规模的加热装置或冷却装置，可在比较低的温度而且短时间的条件下生产多层抗反射抗静电膜，而且外观无异常，显示图象的对比度特性方面也优良。
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公开(公告)号：CN119301092A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202380043996.1
申请日：2023-08-31
IPC: C04B35/596 , C04B35/64 , F16C33/24 , F16C33/32 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供一种可进行低温烧成且强度高的氮化硅烧结体。实施方式涉及的氮化硅烧结体以氧化物换算计含有0.1质量％以上且10质量％以下的锆。在对所述氮化硅烧结体的任意的截面进行XRD分析(2θ)时，在将基于α型氮化硅晶粒在35.3°±0.2°下检测到的最强峰强度设定为I35.3、将基于β型氮化硅晶粒在27.0°±0.2°下检测到的最强峰设定为I27.0、将基于氮化锆在33.9°±0.2°下检测到的最强峰设定为I33.9的情况下，满足0.01≤I35.3/I27.0≤0.5及0≤I33.9/I27.0≤1.0。
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公开(公告)号：CN117998732A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410253704.3
申请日：2019-08-05
IPC: H05K1/03 , C04B35/584 , H01L23/13
Abstract: 本发明提供一种氮化硅基板，其特征在于，其是由具有氮化硅晶粒和晶界相的氮化硅烧结体制成的氮化硅基板，其中，氮化硅基板的板厚为0.4mm以下，在氮化硅烧结体的任意的截面或表面中，在单位面积10μm×10μm中存在的氮化硅晶粒中在晶粒内具有位错缺陷部的粒子的比例以个数比例计为0％～20％。在制成电路基板时能够提高耐蚀刻性。
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