半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN106158945A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201510077242.5

    申请日:2015-02-13

    Abstract: 根据一实施方式,半导体装置包括第1半导体层、第1绝缘层和第1电极。上述第1电极包括钛层和氮化钛层。上述第1绝缘层设在上述第1半导体层之上。上述第1绝缘层含有氮化硅。上述氮化钛层设在上述第1绝缘层之上。上述钛层设在上述氮化钛层的至少一部分之上。

    图像显示装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1981359A

    公开(公告)日:2007-06-13

    申请号:CN200580022914.7

    申请日:2005-07-06

    CPC classification number: H01J31/127 H01J29/06 H01J29/864

    Abstract: 间隔件(30)和栅格单元(40)被设置在其上形成有荧光屏的第一基板(11)和设有多个电子发射源(18)的第二基板(12)之间。栅格单元包括板状栅格(42),所述板状栅格具有各自与电子发射源相对的多个电子束孔(44)并设置成与第二基板相对,预定电压被施加于所述板状栅格;第一介电层(46),所述第一介电层覆盖栅格的外表面。栅格单元包括:导电层(48),所述导电层被设置在第一介电层和第二基板之间并连接于接地电位;以及第二介电层(50),所述第二介电层被形成为覆盖导电层并位于导电层和第二基板之间。根据本发明,这里可提供一种可靠性和显示质量提高的图像显示装置,其中第二基板表面上的电场强度由栅格单元减少以抑制放电发生。

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