公开(公告)号：CN1274023C

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN02121782.3

申请日：2002-05-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 行川敏正 ,  宫野信治 ,  铃木淳

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/12 ,  G11C11/34

CPC classification number: H01L27/10897 ,  H01L27/0218

Abstract: 半导体衬底具有体区和埋入绝缘膜及空洞区的一方上形成的半导体区。体区包括多个存储单元、读出放大器和列选择门，半导体区包括字线选择电路和列选择电路。

公开(公告)号：CN1428865A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02121782.3

申请日：2002-05-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 行川敏正 ,  宫野信治 ,  铃木淳

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/12 ,  G11C11/34

CPC classification number: H01L27/10897 ,  H01L27/0218

Abstract: 半导体衬底具有体区和埋入绝缘膜及空洞区的一方上形成的半导体区。体区包括多个存储单元、读出放大器和列选择门，半导体区包括字线选择电路和列选择电路。