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公开(公告)号：CN115810602A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211106053.2
申请日：2022-09-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/492 , H01L23/31
Abstract: 实施方式提供一种使可靠性提高的半导体装置。半导体装置具备：半导体部；第一电极，其设于所述半导体部上；第一保护膜，其在所述半导体部上以覆盖所述第一电极的外缘的方式设置；第二电极，其设于所述第一电极上，覆盖所述第一保护膜的一部分；以及第二保护膜，其在所述半导体部上以覆盖所述第二电极的外缘和所述第一保护膜的方式设置。
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