公开(公告)号：CN105322016A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510097397.5

申请日：2015-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  筒井一生 ,  岩井洋 ,  角嶋邦之 ,  若林整

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/41725 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7845

Abstract: 实施方式的半导体装置包含：第一半导体层；第二半导体层，设置在第一半导体层上，且带隙大于第一半导体层；源极电极及漏极电极，设置在第二半导体层上，且在源极电极及漏极电极中至少任一个的与第二半导体层相接一侧包含多个凸部；以及栅极电极，设置在源极电极与漏极电极之间。