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公开(公告)号:CN103680618A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310155754.X
申请日:2013-04-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C29/82 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本发明涉及半导体存储器器件和控制器。根据一个实施例,一种半导体存储器器件包括多个块。所述块包括第一选择晶体管、第二选择晶体管、多个存储器基元晶体管、第一选择栅极线和第二选择栅极线以及字线。所述块中的一个保持关于包括短路缺陷的字线、第一选择栅极线和/或第二选择栅极线的信息。