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公开(公告)号：CN1266276A
公开(公告)日：2000-09-13
申请号：CN00104107.X
申请日：2000-03-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/76 , H01L29/78 , H01L27/105
CPC classification number: H01L21/76224
Abstract: 一种可减小耦合电容并抑制漏电流的半导体装置,由在半导体衬底1的主平面上形成的呈凸出状的元件隔离绝缘膜3b、由元件隔离绝缘膜3b包围的半导体衬底1的主平面的活性区、在元件隔离绝缘膜3b上形成的栅极布线9b以及在活性区上通过栅绝缘薄膜7形成的栅极布线9构成。栅极布线9和栅极布线9b的表面高度大致相同,对向面积很小,可减小耦合电容。
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