-
公开(公告)号：CN103681303A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310070802.5
申请日：2013-03-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/30655
Abstract: 本发明提供一种加工尺寸的面内均匀性高的沟槽的形成方法及半导体装置的制造方法。实施方式涉及的沟槽形成方法为，通过使用等离子源来交替反复进行沉积步骤及蚀刻步骤、而在硅衬底上形成沟槽的沟槽形成方法。在设封闭等离子的区域与上述硅衬底的距离为x（mm）、设用于诱导上述等离子的RF功率为w（kW）、设上述沉积步骤中的压力为y（Pa）、关于要形成的上述沟槽的宽度、设上述硅衬底的面内的波动的容许限度为z0（μm）时，以满足上述数学式1～3的方式来实施上述沉积步骤及上述蚀刻步骤。
Search Results
1
records
(took 0.014 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
