公开(公告)号：CN104934528A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510096969.8

申请日：2015-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中山浩平 ,  河口民雄 ,  池内裕章 ,  加屋野博幸

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01B12/06 ,  H01B1/08 ,  H01B13/00 ,  H01L39/143 ,  H01L39/2461 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/26 ,  H01L39/12 ,  H01L39/125 ,  H01L39/24

Abstract: 本发明涉及超导元件及其制造方法。根据一个实施方案，超导元件包括超导层、基础层和中间层。超导层由包含Cu和Ba的氧化物制成。基础层由二氧化铈制成。中间层设置在基础层和超导层之间，并且由BaxCayCeO3(0.6