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公开(公告)号:CN1783502A
公开(公告)日:2006-06-07
申请号:CN200510103944.2
申请日:2005-09-19
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种可进行跨越数勒克司到数万勒克司的宽范围的照度检测的半导体光学传感装置。半导体光学传感装置具备:多个光电二极管部,具有相互不同的照度-输出特性;转换器,用于根据照射到上述光电二极管部上的入射光的照度,来选择上述多个光电二极管部的某一个;输出部,用来将来自所选择的上述光电二极管部的输出信号,通过上述转换器进行输出。
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公开(公告)号:CN101026175A
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:CN200710078982.6
申请日:2007-02-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/144 , H01L31/10 , H01L31/0232
CPC classification number: G01J1/32 , G01J1/0488
Abstract: 根据本发明,提供一种半导体光电传感器,包括:形成在半导体衬底的表面部分中的第一光电检测器和第二光电检测器;第一树脂层,其形成在第一光电检测器的光接收区上,并且包括第一光谱灵敏度特性;第二树脂层,形成在第二光电检测器的光接收区上,并且包括第二光谱灵敏度特性;以及运算电路,其在来自第一光电检测器的第一个输出和来自第二光电检测器的第二输出之间执行预定的运算,并且输出该运算的结果,其中第一光谱灵敏度特性是出去短波区中的波长分量的特性,而第二光谱灵敏度特性是出去红外区中的波长分量的特性。
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公开(公告)号:CN100424880C
公开(公告)日:2008-10-08
申请号:CN200510103944.2
申请日:2005-09-19
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种可进行跨越数勒克司到数万勒克司的宽范围的照度检测的半导体光学传感装置。半导体光学传感装置具备:多个光电二极管部,具有相互不同的照度-输出特性;转换器,用于根据照射到上述光电二极管部上的入射光的照度,来选择上述多个光电二极管部的某一个;输出部,用来将来自所选择的上述光电二极管部的输出信号,通过上述转换器进行输出。
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