公开(公告)号：CN101037767A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710086288.9

申请日：2007-03-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉田博昭 ,  柳瀬勇 ,  小野富男 ,  佐久间尚志 ,  铃木真理子 ,  酒井忠司

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/513 ,  C23C16/52

CPC classification number: C30B29/04 ,  C30B25/105 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645

Abstract: 一种金刚石膜形成方法，包括：在低于650℃的温度，在至少包括碳和氢气的第一混合气体中，在金属材料(101)和半导体材料(102)的混合体中，在金属材料(103)的表面上形成金刚石晶核(103)，并且在低于750℃的温度，在至少包括碳和氢气的第二混合气体中，使形成在所述混合体中的金刚石晶核(103)生长以形成金刚石膜(104)。