公开(公告)号：CN101071822A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710101016.1

申请日：2003-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  大村一郎 ,  木下浩三

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体元件，包括：横方向上周期性地形成第1导电型的第1半导体层和第2导电型的第2半导体层的半导体层；以及包含该周期性地形成的半导体层而构成的功率半导体单元；所述第1半导体层的纵方向的杂质量分布和所述第2半导体层的纵方向的杂质量分布有所不同。另外，在述功率半导体单元的主面侧，所述第2半导体层的所述主面侧的面积大于与所述主面相反一面侧的面积，而且，从所述主面侧向与所述主面相反一面侧的纵方向上的杂质浓度的分布是固定的；所述第1半导体层的所述纵方向上的杂质浓度的分布是固定的。

公开(公告)号：CN100550416C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200710101016.1

申请日：2003-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  大村一郎 ,  木下浩三

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体元件，包括：横方向上周期性地形成第1导电型的第1半导体层和第2导电型的第2半导体层的半导体层；以及包含该周期性地形成的半导体层而构成的功率半导体单元；所述第1半导体层的纵方向的杂质量分布和所述第2半导体层的纵方向的杂质量分布有所不同。另外，在述功率半导体单元的主面侧，所述第2半导体层的所述主面侧的面积大于与所述主面相反一面侧的面积，而且，从所述主面侧向与所述主面相反一面侧的纵方向上的杂质浓度的分布是固定的；所述第1半导体层的所述纵方向上的杂质浓度的分布是固定的。

公开(公告)号：CN100521228C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN03160102.2

申请日：2003-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  大村一郎 ,  木下浩三

IPC: H01L29/00

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696

Abstract: 公开了一种功率半导体元件，包括：横方向上周期性地形成第1导电型的第1半导体层和第2导电型的第2半导体层的半导体层；以及包含该周期性地形成的半导体层的功率半导体元件；所述第1半导体层的纵方向的杂质量分布和所述第2半导体层的纵方向的杂质量分布有所不同。

公开(公告)号：CN1494160A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03160102.2

申请日：2003-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  大村一郎 ,  木下浩三

IPC: H01L29/00

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696

Abstract: 公开了一种功率半导体元件，包括：横方向上周期性地形成第1导电型的第1半导体层和第2导电型的第2半导体层的半导体层；以及包含该周期性地形成的半导体层的功率半导体元件；所述第1半导体层的纵方向的杂质量分布和所述第2半导体层的纵方向的杂质量分布有所不同。