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公开(公告)号：CN106251901A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610141276.0
申请日：2016-03-11
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的实施方式提供一种动作速度得到提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括：存储单元阵列；读出放大器，与所述存储单元阵列连接；第1数据锁存器，与输入输出电路连接；第2数据锁存器，与所述输入输出电路连接；数据总线，连接于所述读出放大器、所述第1数据锁存器及所述第2数据锁存器；以及第3数据锁存器，连接于所述数据总线，且配置在所述读出放大器与所述第1数据锁存器或所述第2数据锁存器之间。
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