公开(公告)号：CN1855394A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610067451.2

申请日：2004-05-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小泽良夫 ,  斋田繁彦 ,  竹内祐司 ,  斋藤雅伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明实现可减少隧道绝缘膜中的电荷陷阱发生量或漏电流发生量的非易失性存储单元。非易失性存储单元具备有：包括越靠近元件隔离绝缘膜3膜厚越变厚部分的隧道绝缘膜4，设于隧道绝缘膜4之上的浮栅电极5、6，设于浮栅电极5、6上方的控制栅电极7，以及设于控制栅电极7与浮栅电极5、6之间的电极间绝缘膜8。

公开(公告)号：CN1574362A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410042441.4

申请日：2004-05-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小泽良夫 ,  斋田繁彦 ,  竹内祐司 ,  斋藤雅伸

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/76 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明实现可减少隧道绝缘膜中的电荷陷阱发生量或漏电流发生量的非易失性存储单元。非易失性存储单元具备有：包括越靠近元件隔离绝缘膜3膜厚越变厚部分的隧道绝缘膜4，设于隧道绝缘膜4之上的浮栅电极5、6，设于浮栅电极5、6上方的控制栅电极7，以及设于控制栅电极7与浮栅电极5、6之间的电极间绝缘膜8。

公开(公告)号：CN100470738C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200610067451.2

申请日：2004-05-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小泽良夫 ,  斋田繁彦 ,  竹内祐司 ,  斋藤雅伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明实现可减少隧道绝缘膜中的电荷陷阱发生量或漏电流发生量的非易失性存储单元。非易失性存储单元具备有：包括越靠近元件隔离绝缘膜3膜厚越变厚部分的隧道绝缘膜4，设于隧道绝缘膜4之上的浮栅电极5、6，设于浮栅电极5、6上方的控制栅电极7，以及设于控制栅电极7与浮栅电极5、6之间的电极间绝缘膜8。

公开(公告)号：CN1277315C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200410042441.4

申请日：2004-05-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小泽良夫 ,  斋田繁彦 ,  竹内祐司 ,  斋藤雅伸

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/76 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明实现可减少隧道绝缘膜中的电荷陷阱发生量或漏电流发生量的非易失性存储单元。非易失性存储单元具备有：包括越靠近元件隔离绝缘膜3膜厚越变厚部分的隧道绝缘膜4，设于隧道绝缘膜4之上的浮栅电极5、6，设于浮栅电极5、6上方的控制栅电极7，以及设于控制栅电极7与浮栅电极5、6之间的电极间绝缘膜8。