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公开(公告)号：CN102412288A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110265957.5
申请日：2011-09-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0834
Abstract: 本发明提供逆导型绝缘栅双极晶体管。根据一个实施方式，在逆导型绝缘栅双极晶体管中，缓冲层设于第二基底层的背面，杂质浓度比第二基底层高。第一集电极层与缓冲层的背面的一部分相接，杂质浓度比第二基底层高。第二集电极层与缓冲层的背面的一部分相接，包围第一集电极层地设置，杂质浓度比第一基底层高。第三集电极层与缓冲层的背面的一部分相接，包围第二集电极层地设置，杂质浓度比第二集电极层低。
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