公开(公告)号：CN1467891A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03140660.2

申请日：2003-06-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉武春二 ,  寺田俊幸 ,  田中明

IPC: H01S5/32 ,  H01S5/22

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/223 ,  H01S5/34326

Abstract: 一种半导体激光器包括：衬底；形成在衬底上的双异质结构，双异质结构包括形成在衬底上的第一覆盖层、形成在第一覆盖层上的有源层以及形成在有源层上的第二覆盖层，第二覆盖层的上表面上具有条形突起，突起具有侧壁基本上垂直地形成在衬底表面上的上部和线宽大于上部线宽的台阶形下部；以及除了突起的上表面，从突起的侧面延伸到第二覆盖层上表面形成的电流阻挡层。

公开(公告)号：CN1229902C

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN03140660.2

申请日：2003-06-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉武春二 ,  寺田俊幸 ,  田中明

IPC: H01S5/32 ,  H01S5/22

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/223 ,  H01S5/34326

Abstract: 一种半导体激光器包括：衬底；形成在衬底上的双异质结构，双异质结构包括形成在衬底上的第一覆盖层、形成在第一覆盖层上的有源层以及形成在有源层上的第二覆盖层，第二覆盖层的上表面上具有条形突起，突起具有侧壁基本上垂直地形成在衬底表面上的上部和线宽大于上部线宽的台阶形下部；以及除了突起的上表面，从突起的侧面延伸到第二覆盖层上表面形成的电流阻挡层。