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公开(公告)号：CN105986252A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510555649.4
申请日：2015-09-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C16/513
Abstract: 本发明的实施方式提供一种使成膜的再现性进一步提高的成膜装置以及成膜方法。根据实施方式，成膜装置具备等离子体枪、检测部及控制部。等离子体枪能够喷出等离子体气体，而在照射等离子体气体的加工对象物上形成膜。检测部检测等离子体气体喷出方向上的等离子体气体中的温度或发光强度。控制部根据从检测部取得的温度或发光强度，以使温度处于第1温度以上且第2温度以下的范围的等离子体气体、或发光强度处于第1发光强度以上且第2发光强度以下的范围的等离子体气体照射到加工对象物的方式，控制加工对象物与等离子体枪的距离。
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