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公开(公告)号:CN1054457C
公开(公告)日:2000-07-12
申请号:CN95118497.0
申请日:1995-10-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/1408 , G11C8/20 , G11C16/22
Abstract: 本发明旨在提供一种半导体存储装置及其制造方法。本发明的有效地址数据确定器1具有与芯片固有的内部地址对应的非易失性电路特性或配线,输出有效地址数据。伪数据发生电路2产生伪数据。有效数据区域检测电路3将有效地址数据与内部地址进行比较,如果是有效地址区域,就生成信号REAL。输出选择电路4根据信号REAL决定把伪数据从输出选择电路4输出,还是将从读出放大器输入的自己的单元数据进行输出。
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公开(公告)号:CN1131324A
公开(公告)日:1996-09-18
申请号:CN95118497.0
申请日:1995-10-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/1408 , G11C8/20 , G11C16/22
Abstract: 本发明旨在提供一种半导体存储装置及其制造方法。本发明的有效地址数据确定器1具有与芯片固有的内部地址对应的非易失性电路特性或配线,输出有效地址数据。伪数据发生电路2产生伪数据。有效数据区域检测电路3将有效地址数据与内部地址进行比较,如果是有效地址区域,就生成信号REAL。输出选择电路4根据信号REAL决定把伪数据从输出选择电路4输出,还是将从读出放大器输入的自己的单元数据进行输出。
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