缓冲电路、传送电路及无线通信装置

    公开(公告)号:CN102684725A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201110275240.9

    申请日:2011-09-16

    Inventor: 出口淳

    Abstract: 无线通信装置具备:振荡信号生成电路、信号发送电路和传送电路。振荡信号生成电路生成振荡信号。信号发送电路根据上述振荡信号调制从外部输入的输入电波信号,并将所调制的上述电波信号从天线发送。传送电路将上述振荡信号传送到上述信号发送电路。上述传送电路具有串联连接的多个缓冲电路,上述多个缓冲电路的各个具有:输入信号被输入到第1端子的电容器;对上述电容器的第2端子的信号进行反相放大的第1反相放大电路;对上述第1反相放大电路的输出信号进行反相放大的第2反相放大电路;以及一端与上述电容器的第2端子连接、另一端与上述第1和第2反相放大电路的连接节点连接、栅极被输入上述输入信号的反相信号的MOS晶体管。

    变频电路和接收机
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101404477A

    公开(公告)日:2009-04-08

    申请号:CN200810165988.1

    申请日:2008-10-06

    CPC classification number: H03D7/125

    Abstract: 本发明提供可更为正确地控制变换增益的变频电路。变频电路(3)具备:被输入第1输入信号的第1输入端子(3a);被输入第2输入信号的第2输入端子(3b);输出输出信号的输出端子(3c);一端连接到第1输入端子,另一端连接到输出端子的混合用晶体管(3d);以及通过第2输入端子被输入第2输入信号,向混合用晶体管(3d)的控制电极输出限制第2输入信号的脉冲所得到的脉冲信号的脉冲控制电路(3e)。混合用晶体管(3d)与脉冲信号的脉冲相对应地导通。

    半导体存储装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103635971B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201280025590.2

    申请日:2012-03-09

    Abstract: 一种半导体存储装置包括:存储单元阵列,其包括在多个第一线与多个第二线的交叉处设置的多个存储单元;和写入电路。所述写入电路,在执行所述写入操作时,执行第一步骤:跨与被定为数据写入目标的、选择的存储单元连接的所述第一线和第二线施加电压,并跨与所述多个存储单元中的未被定为数据写入目标的、未选择的存储单元连接的所述第一线和第二线施加不同的电压,在执行所述第一步骤之后,执行第二步骤:跨与所述选择的存储单元连接的所述第一线和第二线施加数据写入所需的电压,并将与所述未选择的存储单元连接的所述第一线和第二线中的至少一个置于浮动状态。

    半导体集成电路及接收装置

    公开(公告)号:CN102694527B

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201110275038.6

    申请日:2011-09-16

    CPC classification number: H04B1/16

    Abstract: 根据实施例,半导体集成电路具备跨导电路、第1负载电路和第2负载电路。上述跨导电路、上述第1负载电路及上述第2负载电路的至少一个具有以下式的参数P降低的方式调节阻抗的阻抗调节部。P=Z01*Z04-Z02*Z03。这里,Z01是从上述第1输出端子看的上述跨导电路的阻抗,Z02是从上述第2输出端子看的上述跨导电路的阻抗,Z03是上述第1负载电路的阻抗,Z04是上述第2负载电路的阻抗。

    半导体存储装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103635971A

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN201280025590.2

    申请日:2012-03-09

    Abstract: 一种半导体存储装置包括:存储单元阵列,其包括在多个第一线与多个第二线的交叉处设置的多个存储单元;和写入电路。所述写入电路,在执行所述写入操作时,执行第一步骤:跨与被定为数据写入目标的、选择的存储单元连接的所述第一线和第二线施加电压,并跨与所述多个存储单元中的未被定为数据写入目标的、未选择的存储单元连接的所述第一线和第二线施加不同的电压,在执行所述第一步骤之后,执行第二步骤:跨与所述选择的存储单元连接的所述第一线和第二线施加数据写入所需的电压,并将与所述未选择的存储单元连接的所述第一线和第二线中的至少一个置于浮动状态。

    受光装置、受光方法以及传输系统

    公开(公告)号:CN103379287A

    公开(公告)日:2013-10-30

    申请号:CN201310068594.5

    申请日:2013-03-05

    CPC classification number: H04N5/2353 H04N5/23219

    Abstract: 本发明提供一种受光装置、受光方法以及传输系统。根据实施方式,受光装置的特征在于,包括:受光部,具有分别包括多个受光元件的N条线,其中,N是大于等于2的整数;多重曝光区域选择部,从所述N条线中选择在预定的单位时间内应进行1次曝光的单次曝光线和应进行多次曝光的多重曝光线;多重曝光控制部,在所述预定的单位时间内,以第1曝光时间对所述单次曝光线进行1次曝光,并且,以所述第1曝光时间对所述多重曝光线进行第1次曝光,然后,以第2曝光时间对所述多重曝光线进行第2次曝光;以及读出部,一线一线地读出所述线的曝光量,所述多重曝光控制部在所有的所述单次曝光线的曝光量的读出完成之前,开始所述多重曝光线的第2次曝光。

    缓冲电路、传送电路及无线通信装置

    公开(公告)号:CN102684725B

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:CN201110275240.9

    申请日:2011-09-16

    Inventor: 出口淳

    Abstract: 无线通信装置具备:振荡信号生成电路、信号发送电路和传送电路。振荡信号生成电路生成振荡信号。信号发送电路根据上述振荡信号调制从外部输入的输入电波信号,并将所调制的上述电波信号从天线发送。传送电路将上述振荡信号传送到上述信号发送电路。上述传送电路具有串联连接的多个缓冲电路,上述多个缓冲电路的各个具有:输入信号被输入到第1端子的电容器;对上述电容器的第2端子的信号进行反相放大的第1反相放大电路;对上述第1反相放大电路的输出信号进行反相放大的第2反相放大电路;以及一端与上述电容器的第2端子连接、另一端与上述第1和第2反相放大电路的连接节点连接、栅极被输入上述输入信号的反相信号的MOS晶体管。

    半导体集成电路及接收装置

    公开(公告)号:CN102694527A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201110275038.6

    申请日:2011-09-16

    CPC classification number: H04B1/16

    Abstract: 根据实施例,半导体集成电路具备跨导电路、第1负载电路和第2负载电路。上述跨导电路、上述第1负载电路及上述第2负载电路的至少一个具有以下式的参数P降低的方式调节阻抗的阻抗调节部。P=Z01*Z04-Z02*Z03。这里,Z01是从上述第1输出端子看的上述跨导电路的阻抗,Z02是从上述第2输出端子看的上述跨导电路的阻抗,Z03是上述第1负载电路的阻抗,Z04是上述第2负载电路的阻抗。

    变频电路和接收机
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101404477B

    公开(公告)日:2011-11-23

    申请号:CN200810165988.1

    申请日:2008-10-06

    CPC classification number: H03D7/125

    Abstract: 本发明提供可更为正确地控制变换增益的变频电路。变频电路(3)具备:被输入第1输入信号的第1输入端子(3a);被输入第2输入信号的第2输入端子(3b);输出输出信号的输出端子(3c);一端连接到第1输入端子,另一端连接到输出端子的混合用晶体管(3d);以及通过第2输入端子被输入第2输入信号,向混合用晶体管(3d)的控制电极输出限制第2输入信号的脉冲所得到的脉冲信号的脉冲控制电路(3e)。混合用晶体管(3d)与脉冲信号的脉冲相对应地导通。

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