公开(公告)号：CN1348240A

公开(公告)日：2002-05-08

申请号：CN01140646.1

申请日：2001-09-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 玄永康一 ,  福冈和雄 ,  饭田清次 ,  冈田真琴

IPC: H01S5/00

CPC classification number: G11B7/127 ,  G11B7/1275 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/4087

Abstract: 一种半导体激光装置,包括:具有射出激光束的出射面的半导体激光芯片;以及具有第一面和与该第一面垂直的至少一个第二面的、在上述第一面上设有上述半导体激光芯片的次底座。上述至少一个第二面之中的与上述半导体激光芯片的上述出射面并列的第二面相对于上述出射面以3－30度的角度倾斜,上述倾斜的第二面反射上述半导体激光芯片射出的激光束经衍射后的分光束的反射光。

公开(公告)号：CN104767378A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201410323129.6

申请日：2014-07-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 葛西圭 ,  冈田真琴

IPC: H02M3/155 ,  H02M1/36

CPC classification number: H02M3/158 ,  H02M1/32 ,  H02M1/36 ,  H02M3/1588 ,  Y02B70/1466

Abstract: 本发明提供既能抑制电路规模的增大又能抑制起动时的冲击电流的电源电路。电源电路具备：PMOS的晶体管(M1)；PMOS晶体管(M3)；基准电压生成部；软起动电压生成部；反馈电压生成部；误差放大器(4)；误差放大器(5)；偏移控制部(6)以及偏移控制部(7)。误差放大器(4)对在软起动电压(Vss)中加上了偏移电压(Vos1)而成的软起动电压(Vs1)和基准电压中的较低的一方的电压、与反馈电压之差进行放大，来控制PMOS晶体管(M1)的导通。误差放大器(5)对在软起动电压(Vss)中加上了偏移电压(Vos2)而成的软起动电压(Vs2)、与反馈电压之差进行放大，来控制PMOS晶体管(M3)的导通。

公开(公告)号：CN100530377C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN01140646.1

申请日：2001-09-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 玄永康一 ,  福冈和雄 ,  饭田清次 ,  冈田真琴

IPC: G11B7/125 ,  H01S5/022

CPC classification number: G11B7/127 ,  G11B7/1275 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/4087

Abstract: 一种半导体激光装置，包括：具有射出激光束的出射面的半导体激光芯片；以及具有第一面和与该第一面垂直的至少一个第二面的、在上述第一面上设有上述半导体激光芯片的次底座。上述至少一个第二面之中的与上述半导体激光芯片的上述出射面并列的第二面相对于上述出射面以3～30度的角度倾斜，上述倾斜的第二面反射上述半导体激光芯片射出的激光束经衍射后的分光束的反射光。

公开(公告)号：CN1313662A

公开(公告)日：2001-09-19

申请号：CN01111374.X

申请日：2001-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 冈田真琴 ,  玄永康一

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/4087

Abstract: 提供一种可靠性高且生产率高的半导体激光器装置及其制造方法。该半导体激光器装置包括:基板;在其上形成的发出第一、第二波长的激光的第一、第二激光器元件部;在上述第一、第二激光器元件部的前端面、后端面上一并形成的同一厚度的前端面膜、由同一厚度的多个薄膜构成的后端面膜;上述前端面膜的厚度和上述后端面膜的多个薄膜的厚度是基于上述第一和第二波长的平均波长λ的光学长度d=(1/4+j)×λ,(j=0、1、2…)。