公开(公告)号：CN1267933C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200310119684.9

申请日：2003-11-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 远田正见 ,  矢板由美 ,  佐藤光吉 ,  酒井仁志 ,  金崎健 ,  稻见一郎

IPC: G21F9/30 ,  C23G1/02 ,  C23G3/00

CPC classification number: G21F9/28 ,  G21Y2002/201 ,  G21Y2002/202 ,  G21Y2002/601 ,  G21Y2004/40 ,  Y10S422/903

Abstract: 本发明披露了一种化学净化放射性材料的方法。所述方法包括：使放射性物质的表面与包含一元羧酸和二元羧酸作为溶剂的还原净化液接触的还原-溶解步骤；和使放射性物质的表面和包含氧化剂的氧化净化液接触的氧化-溶解步骤。该方法可以包括重复的步骤对，每一对步骤包括还原-溶解步骤和氧化-溶解步骤。一元羧酸包括甲酸，而二元羧酸包括草酸。氧化剂可以是臭氧、高锰酸或高锰酸盐。

公开(公告)号：CN1512515A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN200310119684.9

申请日：2003-11-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 远田正见 ,  矢板由美 ,  佐藤光吉 ,  酒井仁志 ,  金崎健 ,  稻见一郎

IPC: G21F9/28 ,  G21F9/00

CPC classification number: G21F9/28 ,  G21Y2002/201 ,  G21Y2002/202 ,  G21Y2002/601 ,  G21Y2004/40 ,  Y10S422/903

Abstract: 本发明披露了一种化学净化放射性材料的方法。所述方法包括：使放射性物质的表面与包含一元羧酸和二元羧酸作为溶剂的还原净化液接触的还原－溶解步骤；和使放射性物质的表面和包含氧化剂的氧化净化液接触的氧化－溶解步骤。该方法可以包括重复的步骤对，每一对步骤包括还原－溶解步骤和氧化－溶解步骤。一元羧酸包括甲酸，而二元羧酸包括草酸。氧化剂可以是臭氧、高锰酸或高锰酸盐。