公开(公告)号：CN104795399A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410602466.9

申请日：2014-10-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐久间悠 ,  佐久间究 ,  清利正弘

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/1157 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明涉及非易失性半导体存储器器件。堆叠结构在水平于所述半导体衬底的第一方向上排列，所述堆叠结构之一具有沿着第二方向的纵向方向。一个堆叠结构具有在层间绝缘层之间堆叠的多个半导体层。存储器膜形成在所述堆叠结构的侧表面上并且包括所述存储器基元的电荷积聚膜。导电膜隔着所述存储器膜形成在所述堆叠结构的侧表面上。一个堆叠结构在包括第一和第三方向的横截面内具有宽度从上向下增加的形状。一个导电膜在包括第二和第三方向的横截面内具有宽度从上向下增加的形状。所述半导体层中的预定部分在上和下半导体层之间具有不同的杂质浓度。