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公开(公告)号:CN101402140B
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN200810168098.6
申请日:2008-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B22F9/24
CPC classification number: C23C18/1212 , B82Y30/00 , C01B33/12 , C01B33/126 , C01B33/14 , C01B33/18 , C01P2002/82 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2006/16 , C22C5/06 , C22C13/00 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/1644 , C23C18/1692 , C23C18/1879 , C23C18/1889 , C23C18/42 , Y10T428/24413
Abstract: 制备金属纳米颗粒无机复合物(10)的方法,该方法包括:氧化物膜形成步骤,在该步骤中通过溶胶-凝胶法在基材上形成具有微孔的氧化物膜(14),在所述溶胶-凝胶法中,金属醇盐受酸催化剂作用被部分水解;锡沉积步骤,在该步骤中,使氧化物膜(14)与氯化锡的酸性水溶液接触;过量Sn2+离子去除步骤,在该步骤中,从微孔中除去Sn2+离子;金属纳米颗粒沉积步骤,在该步骤中,将氧化物膜(14)与金属螯合物的水溶液接触以在微孔中沉积金属纳米颗粒(12);和过量金属离子去除步骤,在该步骤中,从微孔中除去金属离子。通过这种方法制备金属纳米颗粒无机复合物(10)。
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公开(公告)号:CN101276124A
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN200810087861.2
申请日:2008-03-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G02B6/1226 , B82Y20/00 , G02F1/355 , Y10T428/24413
Abstract: 本发明提供一种制造不使金属微粒凝聚而是使之高密度地分散在硅氧化膜内的金属微粒分散膜的方法。本发明的金属微粒分散膜的制造方法,其特征在于,通过将有机硅烷进行使侧链上残存羟基或醇盐基的水解和缩聚反应来形成硅氧化膜,使所述硅氧化膜与酸性的氯化锡水溶液接触,接着,通过使所述硅氧化膜与金属螯合物的水溶液接触而使金属微粒分散在硅氧化膜中。
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公开(公告)号:CN101402140A
公开(公告)日:2009-04-08
申请号:CN200810168098.6
申请日:2008-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B22F9/24
CPC classification number: C23C18/1212 , B82Y30/00 , C01B33/12 , C01B33/126 , C01B33/14 , C01B33/18 , C01P2002/82 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2006/16 , C22C5/06 , C22C13/00 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/1644 , C23C18/1692 , C23C18/1879 , C23C18/1889 , C23C18/42 , Y10T428/24413
Abstract: 制备金属纳米颗粒无机复合物10的方法,该方法包括:氧化物膜形成步骤,在该步骤中通过溶胶-凝胶法在基材上形成具有微孔的氧化物膜14,在所述溶胶-凝胶法中,金属醇盐受酸催化剂作用被部分水解;锡沉积步骤,在该步骤中,使氧化物膜14与氯化锡的酸性水溶液接触;过量Sn2+离子去除步骤,在该步骤中,从微孔中除去Sn2+离子;金属纳米颗粒沉积步骤,在该步骤中,将氧化物膜14与金属螯合物的水溶液接触以在微孔中沉积金属纳米颗粒12;和过量金属离子去除步骤,在该步骤中,从微孔中除去金属离子。通过这种方法制备金属纳米颗粒无机复合物10。
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