公开(公告)号：CN102057470B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN200980121999.2

申请日：2009-03-11

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 内田稔 ,  永井达夫 ,  山川晴义

IPC: H01L21/304 ,  C25B1/30 ,  H01L21/027

CPC classification number: C25B1/285 ,  C25B15/08

Abstract: 本发明的目的在于高效地生成作为功能性溶液的硫酸电解液，并且在抑制通过电解生成的过硫酸的自分解的情况下将其高效地供给至使用侧。本发明是一种功能性溶液供给系统，该系统是通过电解硫酸溶液来制造功能性溶液并供给至使用侧的功能性溶液供给系统，其特征在于，该系统包括用于贮留硫酸溶液的贮留槽(2)、用于电解硫酸溶液的电解装置(电解室(3))、用于对硫酸溶液加温的加温单元(加热器(4))、用于冷却硫酸溶液的冷却单元(冷却器(4))、以及下述的3个循环管路：第一循环管路(11)，该第一循环管路(11)不经由加温单元、而是经由电解装置将从贮留槽(2)排出的硫酸溶液返回至所述贮留槽(2)；第二循环管路(12)，该第二循环管路(12)不经由加温单元、而是依次经由冷却单元和所述贮留槽(2)将从使用侧(洗涤机(1))导入的硫酸溶液返回至使用侧；第三循环管路(13)，该第三循环管路(13)不经由冷却单元和所述贮留槽(2)、而是经由加温单元(加热器(4))将从所述使用侧导入的硫酸溶液返回至所述使用侧。

公开(公告)号：CN114375283B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202080063945.1

申请日：2020-02-25

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 井芹一 ,  山川晴义 ,  山本裕都喜

IPC: C01B17/69 ,  C01B15/06 ,  C07D235/04 ,  C07D249/18 ,  C23C18/20 ,  C23G1/06 ,  C25D5/56 ,  C25D11/04 ,  C25D11/06

Abstract: 本发明向作为氧化剂含过一硫酸、过一硫酸盐、过二硫酸或过二硫酸盐等过硫酸成分且存在促进该氧化剂浓度降低的杂质的硫酸溶液中，添加具有由苯环与含氮杂环稠合而成的结构的杂环式化合物。在此，优选具有由苯环与含氮杂环稠合而成的结构的杂环式化合物为苯并三唑系化合物。另外，优选促进氧化剂浓度降低的杂质是从铜离子、铁离子、硝酸离子和亚硝酸离子中选择的一种以上。本发明的含过硫酸成分的硫酸溶液中的氧化剂浓度降低的抑制方法，即使混入引起氧化剂浓度降低的杂质，也能将氧化剂浓度的降低抑制到最小限度。

公开(公告)号：CN102844845B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201180013890.4

申请日：2011-03-02

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 山川晴义 ,  床嶋裕人

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: B08B3/04 ,  G03F7/423 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051

Abstract: 一种电子材料清洗系统具备试剂清洗设备(1)、湿式清洗设备(2)和单片式清洗装置(3)。试剂清洗设备(1)具有功能性试剂蓄存槽(6)和介由浓硫酸电解管道(7)与该功能性试剂蓄存槽(6)连接的电解反应装置(8)。该功能性试剂蓄存槽(6)介由功能性试剂供给管道(10)可将功能性试剂(W1)供给于单片式清洗装置(3)。湿式清洗设备(2)具备纯水的供给管道(21)、与氮气源连通的氮气供给管道(22)、以及这些纯水供给管道(21)和氮气供给管道(22)分别连接于其上的内部混合型二流体喷嘴(23)。从二流体喷嘴(23)的前端可喷射由氮气和超纯水形成的液滴(W2)。根据所述电子材料清洗系统，可以缩短电子材料的抗蚀剂的剥离处理所需的时间，进而通过抗蚀剂剥离后的湿式清洗，可以在短时间内确实地除去抗蚀剂残渣。

公开(公告)号：CN103765561A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280034847.0

申请日：2012-06-22

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 永井达夫 ,  山川晴义

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明的课题是提供一种能够在抑制金属栅极的腐蚀的同时有效地剥离在半导体上附着的抗蚀剂的金属栅极半导体的清洗方法。具有灰化半导体上的光抗蚀剂的灰化工序(步骤s1)、和在灰化工序后使经过灰化工序的上述半导体接触含有过硫酸的硫酸溶液，从上述半导体剥离半导体上的光抗蚀剂的过硫酸清洗工序(步骤s2)。上述过硫酸清洗工序中的含有过硫酸的硫酸溶液中，过氧化氢浓度在16mM？as？O以下，硫酸浓度在90质量％以上96质量％以下，溶液温度在70℃以上130℃以下，过硫酸浓度在0.50mM？as？O以上～25mM？as？O以下。

公开(公告)号：CN103765561B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280034847.0

申请日：2012-06-22

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 永井达夫 ,  山川晴义

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明的课题是提供一种能够在抑制金属栅极的腐蚀的同时有效地剥离在半导体上附着的抗蚀剂的金属栅极半导体的清洗方法。具有灰化半导体上的光抗蚀剂的灰化工序(步骤s1)、和在灰化工序后使经过灰化工序的上述半导体接触含有过硫酸的硫酸溶液，从上述半导体剥离半导体上的光抗蚀剂的过硫酸清洗工序(步骤s2)。上述过硫酸清洗工序中的含有过硫酸的硫酸溶液中，过氧化氢浓度在16mM as O以下，硫酸浓度在90质量％以上96质量％以下，溶液温度在70℃以上130℃以下，过硫酸浓度在0.50mM as O以上～25mM as O以下。

公开(公告)号：CN104584198A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201380043869.8

申请日：2013-08-19

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 小川祐一 ,  山川晴义

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/08 ,  C23G1/10 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02068 ,  B08B3/10 ,  B08B3/102 ,  C11D3/3947 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0064 ,  C25B1/285 ,  C25B15/08 ,  C25F1/00 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67017

Abstract: 实现对于至少露出一部分TiN的经硅化处理后的半导体基板(100)进行有效的清洗，而不会损伤TiN或硅化层。对于至少露出一部分TiN的经硅化处理后的半导体基板进行清洗时，具有以下工序：过硫酸生成工序，该过硫酸生成工序将清洗用硫酸溶液流通至电解部(2)，并使之循环，通过在所述电解部(2)发生的电解反应，生成规定浓度的过硫酸；溶液混合工序，该溶液混合工序将过硫酸生成工序中获得的含有过硫酸的硫酸溶液和含有一种以上的卤化物离子的卤化物溶液在不流通至电解部(2)的状态下进行混合，混合后生成含有过硫酸的氧化剂浓度为0.001～2mol/L的混合溶液；加热工序，该加热工序对混合溶液进行加热；以及清洗工序，该清洗工序运送加热后的混合溶液，使之接触半导体基板(100)并进行清洗。

公开(公告)号：CN103562649A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280025410.0

申请日：2012-05-24

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 内田稔 ,  山川晴义 ,  松本直树

IPC: F24H1/10

CPC classification number: F24H1/121 ,  F24H1/142 ,  F24H9/0015 ,  F24H9/2028

Abstract: 防止对液体进行快速加热的液体加热器的设备本体过热等。液体加热器（1）具有加热用液体流路（2）、加热部（3）、热反射部（反射板（4））以及冷却部（5），该加热用液体流路供液体流通，该加热部配置在上述加热用液体流路（2）的外侧，该热反射部与上述加热部（3）产生的热辐射一侧相对配置，而该冷却部使冷却介质在上述热反射部的反射面的背面一侧流通并对上述热反射部进行冷却，由此防止未被液体吸收的辐射热由热反射部反射使得加热器本体或周围构件受到辐射热而升温从而烧坏或熔损，而且由冷却部（5）对用于反射辐射热的热反射部进行冷却而使加热器本体或周围构件保持在预定温度以下。

公开(公告)号：CN101061261B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200580039376.2

申请日：2005-09-14

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 永井达夫 ,  池宫范人 ,  山川晴义 ,  小林秀树 ,  森田博志

IPC: C25D1/22 ,  C25B1/28 ,  B08B3/08 ,  H01L21/304

CPC classification number: C25B1/28 ,  B08B3/08 ,  B08B3/14 ,  C02F2103/346 ,  H01L21/67057

Abstract: 在使用过硫酸的清洗系统中，过硫酸浓度足够高、可提高清洗效果，同时得到可持续清洗的清洗系统。本发明提供向清洗装置供给过硫酸的供给装置。其具备：电解反应池(10)：通过电解反应由溶液中所含的硫酸离子生成过硫酸离子，再生过硫酸溶液；循环线路(4)、(5)、(6)：使过硫酸溶液在清洗池(1)和电解反应池(10)之间循环。通过该构成可得到供给装置。通过上述构成以及以过硫酸溶液(2)作为清洗液清洗被清洗材料(30)的清洗池(1)构建清洗系统。

公开(公告)号：CN114375283A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202080063945.1

申请日：2020-02-25

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 井芹一 ,  山川晴义 ,  山本裕都喜

IPC: C01B17/69 ,  C01B15/06 ,  C07D235/04 ,  C07D249/18 ,  C23C18/20 ,  C23G1/06 ,  C25D5/56 ,  C25D11/04 ,  C25D11/06

Abstract: 本发明向作为氧化剂含过一硫酸、过一硫酸盐、过二硫酸或过二硫酸盐等过硫酸成分且存在促进该氧化剂浓度降低的杂质的硫酸溶液中，添加具有由苯环与含氮杂环稠合而成的结构的杂环式化合物。在此，优选具有由苯环与含氮杂环稠合而成的结构的杂环式化合物为苯并三唑系化合物。另外，优选促进氧化剂浓度降低的杂质是从铜离子、铁离子、硝酸离子和亚硝酸离子中选择的一种以上。本发明的含过硫酸成分的硫酸溶液中的氧化剂浓度降低的抑制方法，即使混入引起氧化剂浓度降低的杂质，也能将氧化剂浓度的降低抑制到最小限度。

公开(公告)号：CN105452845B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201480041784.0

申请日：2014-06-23

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 山川晴义

IPC: G01N21/33 ,  G01N21/27 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明为了能够在线监控清洗系统等的电解硫酸的总氧化性物质浓度，使用以与电解硫酸的硫酸浓度相同硫酸浓度的电解硫酸调制液为标准试料液、与总氧化性物质浓度关联且进行了基线修正的吸光度数据，将硫酸浓度为60～97质量％、液温为20～70℃的电解硫酸作为试料液，通过在波长190～290nm下测定吸光度而以所述数据为基础对所述电解硫酸中的总氧化性物质浓度进行测定，藉此能够迅速测定电解硫酸中总氧化性物质的浓度。