公开(公告)号：CN104952962A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510067418.9

申请日：2015-02-09

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 相良晓彦 ,  藤之木纪仁 ,  野村优贵 ,  土生田晴比古

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01G11/56 ,  H01G11/84 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/288 ,  H01M14/00 ,  Y02E60/13 ,  Y02T10/7022

Abstract: 本发明提供一种高容量的蓄电元件及其制造方法。蓄电元件(100)具有第1电极(20)、第2电极(50)、蓄电层(30)以及p型半导体层(40)。蓄电层(30)配置于第1电极(20)和第2电极(50)之间。蓄电层(30)含有绝缘材料(31)和n型半导体粒子(32)的混合物。p型半导体层(40)配置于蓄电层(30)和第2电极(50)之间。n型半导体粒子(32)含有钛铌复合氧化物和钛钽复合氧化物之中的至少一方的材料。

公开(公告)号：CN104953180A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510056049.3

申请日：2015-02-03

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 土生田晴比古 ,  野村优贵 ,  相良晓彦 ,  藤之木纪仁

IPC: H01M10/058 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48

CPC classification number: H01M14/00 ,  H01G11/56 ,  H01G11/84 ,  Y02E60/13

Abstract: 本发明提供一种高容量的蓄电元件及其制造方法。本发明的蓄电元件(10)具有层叠结构，所述层叠结构包括：导电性的第1电极层(2)；导电性的第2电极层(5)；充电层(3)，其配置于第1电极层(2)和第2电极层(5)之间，且含有选自铌氧化物、钽氧化物以及钼氧化物之中的至少1种金属氧化物(32)与绝缘材料(31)的混合物；以及电子阻挡层(4)，其配置于充电层(3)和第2电极层(5)之间。