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公开(公告)号：CN103026311B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280002122.3
申请日：2012-03-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G05F3/30
Abstract: 提供一种能够以简单的结构提高温度依存特性的基准电压生成电路。具备：基准电压生成电路单元（1），具有第1二极管特性元件（D1）和与该第1二极管特性元件（D1）相比流动的电流密度不同的第2二极管特性元件（D2），输出基于对该第1二极管特性元件和第2二极管特性元件施加的电压之差而生成的基准电压（VBG2）；第1调整电路单元（2），调整基准电压（VBG2）的1次温度系数；以及第2调整电路单元（3），调整基准电压（VBG2）的2次温度系数。
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