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公开(公告)号:CN105793939A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201580002682.2
申请日:2015-01-15
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01G9/028
CPC classification number: H01G9/028 , H01G9/0036 , H01G9/07 , H01G9/15
Abstract: 本发明的电解电容器的制造方法的特征在于,包括:准备具有电介质层的阳极构件的第1工序;将单体、氧化剂、硅烷化合物和溶剂含浸于上述阳极构件中的第2工序;在上述电介质层的表面形成包含导电性高分子和固体电解质层的第3工序,其中,所述导电性高分子含有所述单体的聚合物,所述固体电解质层含有来自于所述硅烷化合物中的含硅成分,上述单体包含由下述式(I)(式中,R表示碳数1~10的烷基。)表示的化合物。
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公开(公告)号:CN105793939B
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201580002682.2
申请日:2015-01-15
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01G9/028
Abstract: 本发明的电解电容器的制造方法的特征在于,包括:准备具有电介质层的阳极构件的第1工序;将单体、氧化剂、硅烷化合物和溶剂含浸于上述阳极构件中的第2工序;在上述电介质层的表面形成包含导电性高分子和含硅成分的固体电解质层的第3工序,其中,所述导电性高分子含有所述单体的聚合物,所述含硅成分来自于所述硅烷化合物,上述单体包含由下述式(I)(式中,R表示碳数1~10的烷基。)表示的化合物。
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