公开(公告)号：CN1171961C

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN99800514.2

申请日：1999-04-12

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 高滨孝一 ,  井上稔 ,  池永顺子 ,  中本彰一

IPC: C09D183/00

CPC classification number: C09D183/02 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供一种在基材表面形成亲水性无机涂膜的方法，它包含以下步骤：(1)得到以硅树脂为主要成分、总固含量在5重量%以下的无机涂料组合物的步骤，其中，所述硅树脂是仅将式Si(OR)4(式中，R表示碳原子数可达7个的烷基或芳基)表示的四官能烷氧基甲硅烷水解缩聚而得到的；(2)将上述无机涂料组合物涂布在基材表面形成涂层的步骤；(3)将上述涂层干燥和硬化，形成膜厚为0.01-0.5μm的硬化膜的步骤。用本发明方法形成的亲水性无机涂膜即使在膜刚制成后和在难以照射到紫外线的情况下其表面也具有很高的亲水性。

公开(公告)号：CN1263547A

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：CN99800514.2

申请日：1999-04-12

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 高滨孝一 ,  井上稔 ,  池永顺子 ,  中本彰一

IPC: C09D183/00 ,  C09D1/00 ,  C09D5/00 ,  B05D7/24

CPC classification number: C09D183/02 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供一种在基材表面形成亲水性无机涂膜的方法,它包含以下步骤:(1)得到以硅树脂为主要成分、总固含量在5重量%以下的无机涂料组合物的步骤,其中,所述硅树脂是仅将式Si(OR)4[式中,R表示碳原子数可达7个的烷基或芳基]表示的四官能烷氧基甲硅烷水解缩聚而得到的;(2)将上述无机涂料组合物涂布在基材表面形成涂层的步骤;(3)将上述涂层干燥和硬化,形成膜厚为0.01—0.5μm的硬化膜的步骤。用本发明方法形成的亲水性无机涂膜即使在膜刚制成后和在难以照射到紫外线的情况下其表面也具有很高的亲水性。

公开(公告)号：CN1263544A

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：CN99800525.8

申请日：1999-04-12

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 高滨孝一 ,  井上稔 ,  池永顺子 ,  中本彰一

IPC: C09D1/00 ,  C09D5/00 ,  C09D183/04 ,  B05D7/24

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08L2666/54

Abstract: 本发明提供了含有作为主成分的具有光氧化性基团的光氧化性硅氧烷树脂和光半导体材料的无机涂料组合物。光氧化性基团包括碳原子数在3以上的烷基、环烷基、芳烷基、芳基、链烯基、卤代烃基、具有3级氢原子的基团(>CH－)、对应于碳－碳双键具有α位C－H键的基团、具有支链的基团等。由本发明的无机涂料组合物形成的亲水性无机涂膜对紫外线的灵敏度非常高,即使被较弱的紫外线照射也能够快速使表面亲水化。