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发明公开
摄像装置以及其制造方法有权

公开(公告)号：CN111370433A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201910956285.9

申请日：2019-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社 , TOWERJAZZ松下半导体有限公司

Inventor： 境田良太 , 佐藤好弘 , 佐伯幸作 , 堂下秀树 , 山下武志

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请提供摄像装置以及其制造方法。本申请的一个形态所涉及的摄像装置(100)具备半导体衬底(60)和多个像素(10)，多个像素(10)的每一个具备：光电转换部(12)，将入射光转换为电荷；第1扩散区域(67n)，位于半导体衬底(60)中，与光电转换部(12)电连接；复位晶体管(26)，包括第1扩散区域(67n)且具备栅极电极(26e)，并将第1扩散区域(67n)用作源极以及漏极的一方；接触插头(cp1)，与第1扩散区域(67n)直接连接，并与光电转换部(12)电连接，以半导体衬底(60)的表面为基准，接触插头(cp1)的高度与栅极电极(26e)的高度彼此相等。

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