公开(公告)号：CN100563101C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200680023789.6

申请日：2006-06-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中塚宏 ,  大西庆治 ,  中村弘幸 ,  岩崎智弘 ,  鹤见直大

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/58

Abstract: 在基板部(40)与第2支承部(20)之间设有第1支承部(30)。该第1支承部(30)通过由具有比压电体(11)及基板部(40)高的声阻抗的材料形成的膜、或者由Q值比压电体(11)及基板部(40)小的材料形成的膜等构成。通过该第1支承部(30)的插入，从第2支承部(20)朝向基板部(40)的振动的大半被反射(箭头(a))，并且防止从第2支承部(20)向基板部(40)传递的振动被基板部(40)的底面反射而向振动部(10)的方向返回(箭头(b))。

公开(公告)号：CN103053015A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201180038572.3

申请日：2011-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鹤见直大 ,  中泽敏志 ,  梶谷亮 ,  按田义治 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：被设于基板(101)上且由III-V族氮化物半导体构成的缓冲层(102)；被设于缓冲层(102)上且由III-V族氮化物半导体构成的第1半导体层(103)；被设于第1半导体层(103)上且由III-V族氮化物半导体构成的第2半导体层(104)；被设于基板(101)的背面上且与接地连接的背面电极(111)；在第2半导体层104上被设置成相互分离开的源电极(132)及漏电极(134)；被设于第2半导体层(104)上的栅电极(136)；以及贯通第2半导体层(104)、第1半导体层(103)、及缓冲层(102)并至少抵达基板(101)且使源电极(132)与背面电极(111)电连接的插塞(109)。

公开(公告)号：CN1495909A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03155714.7

申请日：2003-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柳原学 ,  鹤见直大 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66318 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/7371

Abstract: 一种双极晶体管，在衬底(11)的上边，用外延生长法，依次叠层集电极接触层(12)、集电极层(13)、基极层(14)、发射极层(15)和发射极接触层(16)。在基极层(14)的外部基极区域(14b)内，在发射极层(15)的附近的区域上，设置由与发射极层(15)相同半导体材料构成的电容膜(18)。此外，在外部基极区域(14b)的上边和电容膜(18)的上边设置基极电极(19)。实现了得到热稳定性和高频特性良好而不会增大芯片面积和制造成本的目的。

公开(公告)号：CN110914961A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201880045120.X

申请日：2018-06-07

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 施泓安 ,  中泽敏志 ,  鹤见直大 ,  按田义治 ,  渡部平司 ,  志村考功 ,  细井卓治 ,  野崎干人 ,  山田高宽

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体装置(1)具备：MIS构造，具有依次层叠的氮化物半导体层(30，40)、栅极绝缘膜(50)及栅极电极(60g)；源极电极(60s)及漏极电极(60d)，在平面视中配置成将栅极电极(60g)夹在中间，分别与氮化物半导体层(30，40)接触，栅极绝缘膜(50)包括由氮氧化膜构成的阈值控制层。

公开(公告)号：CN101213744A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200680023789.6

申请日：2006-06-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中塚宏 ,  大西庆治 ,  中村弘幸 ,  岩崎智弘 ,  鹤见直大

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/58

Abstract: 在基板部(40)与第2支承部(20)之间设有第1支承部(30)。该第1支承部(30)通过由具有比压电体(11)及基板部(40)高的声阻抗的材料形成的膜、或者由Q值比压电体(11)及基板部(40)小的材料形成的膜等构成。通过该第1支承部(30)的插入，从第2支承部(20)朝向基板部(40)的振动的大半被反射(箭头(a))，并且防止从第2支承部(20)向基板部(40)传递的振动被基板部(40)的底面反射而向振动部(10)的方向返回(箭头(b))。

公开(公告)号：CN1960177A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610143239.X

申请日：2006-11-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 卯野高史 ,  鹤见直大 ,  八幡和宏 ,  酒井启之

IPC: H03H9/00 ,  H03H9/02 ,  H03H9/15 ,  H03H9/54 ,  G10K11/02

CPC classification number: H03H9/175 ,  H03H9/02125 ,  H03H9/589 ,  H03H9/605

Abstract: 一种音响谐振器，其中具备：音响反射部(14)，其形成在基板(11)上，层叠有至少1层低音响阻抗层(12)及至少1层高音响阻抗层(13)，高音响阻抗层(13)的音响阻抗比低音响阻抗层(12)高；和音响谐振部(18)，其形成在音响反射部(14)上，具有压电膜(16)。低音响阻抗层(12)中的至少1层由硅构成。

公开(公告)号：CN1949663A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610144746.5

申请日：2006-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 八幡和宏 ,  卯野高史 ,  鹤见直大 ,  酒井启之

IPC: H03H9/00 ,  H03H9/02 ,  H03H9/10 ,  H03H9/15 ,  H03H9/25 ,  H03H9/54 ,  H03H9/64

CPC classification number: H03H9/706 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H03H9/0571 ,  H03H9/0576 ,  H03H9/72 ,  H03H9/725 ,  H01L2924/00014

Abstract: 可以抑制在使用多个滤波器芯片的设备中的滤波器芯片所占有的面积，来实现可行的滤波器芯片。复合滤波器芯片由层叠安装在安装基板(41)上的第一滤波器芯片(11)和第二滤波器芯片(21)的叠层芯片(31)构成。第一滤波器芯片(11)由在硅基板的主表面上形成的滤波器电路(12)和与滤波器电路(12)电连接的多个焊盘(13)构成。同样，第二滤波器芯片(21)由在硅基板的主表面上形成的滤波器电路(22)和在滤波器电路(22)的两侧互相间隔开地形成的多个焊盘(23)构成，各个焊盘(23)与滤波器电路(12)电连接。第一滤波器芯片(11)和第二滤波器芯片(21)将硅基板的背面互相相对而粘贴在一起。