公开(公告)号：CN1681173A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510064802.X

申请日：2005-04-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山徹

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

Abstract: 一种半导体发光元件，包括由In1－x－yGaxAlyN(0≤x，y≤1)型材料制成的第一电导率型镀层(110)；包括由In1－x－yGaxAlyN(0≤x，y≤1)型材料制成的阻挡层和由In1－xGaxN(0≤x≤1)型材料制成的势阱层的量子势阱活性层(115)；和由In1－x－yGaxAlyN(0≤x，y≤1)型材料制成的第二电导率型镀层(120)。这些层的构成组分的摩尔分数经过选择使得(x+1.2y)在1±0.1的范围内，从而将相分离抑止至最小。由此，提供了一种发光元件，其中防止了采用由三元InGaN制成的MQW活性层的GaN半导体发光元件中泄漏电流的增加，所述发光元件能够高输出操作，并且具有长期可靠性。

公开(公告)号：CN1116724C

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN95103587.8

申请日：1995-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 永井秀男 ,  高山徹 ,  粂雅博 ,  吉川昭男

IPC: H01S3/16

Abstract: 半导体激光器产生TM模式的半导体激光。半导体激光用第1准直透镜变成平行光之后，使之透过布留斯特板，该板被配置为使布留斯特面的P偏振光方向与半导体激光的偏振光方向一致，并用聚光透镜将激光耦合到波长变换波导的入射面上。激光通过波长变换波导的同时由极化反转区变换为二次谐波光。从波长变换波导的出射面射出的半导体激光用输出镜反射到衍射光栅上并由该光栅进行波长调整。从波长变换波导射出的二次谐波光从输出镜输出。

公开(公告)号：CN1645694A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510005656.3

申请日：2005-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山徹

IPC: H01S5/22 ,  G11B7/125

Abstract: 一种具有用于注射载流子的条带结构的半导体激光器装置，包括：在基底上形成的第一导电型包覆层、有源层、和第二导电型包覆层。所述条带宽度沿谐振器方向变化，L1和Lt之间的差值在200微米以内，并且Rf＜Rr，其中L1为从前端面到所述条带宽度最小处之间的距离，L为所述半导体激光器装置的谐振器的长度，Rf为所述前端面的反射率，Rr为后端面的反射率，Lt为由式L×Loge(Rf)/Loge(Rf×Rr)所表示的距离。在大功率工作时抑制光发射效率的饱和，允许稳定的基本横模振荡。

公开(公告)号：CN1327582C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200510005656.3

申请日：2005-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山徹

IPC: H01S5/22 ,  G11B7/125

Abstract: 一种具有用于注射载流子的条带结构的半导体激光器装置，包括：在基底上形成的第一导电型包覆层、有源层、和第二导电型包覆层。所述条带宽度沿谐振器方向变化，L1和Lt之间的差值在200微米以内，并且Rf＜Rr，其中L1为从前端面到所述条带宽度最小处之间的距离，L为所述半导体激光器装置的谐振器的长度，Rf为所述前端面的反射率，Rr为后端面的反射率，Lt为由式L×Loge(Rf)/Loge(Rf×Rr)所表示的距离。在大功率工作时抑制光发射效率的饱和，允许稳定的基本横模振荡。