公开(公告)号：CN1075219C

公开(公告)日：2001-11-21

申请号：CN96111963.2

申请日：1996-08-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高井繁好 ,  酒井典夫

IPC: G11B5/23 ,  G11B5/127

CPC classification number: G11B5/1871 ,  G11B5/008

Abstract: 在磁头中包括：一对磁芯，其中一个磁芯包括第一峰部、第二峰部和第一与第二峰部间的端部，另一个磁芯包括第三峰部、第四峰部和第三与第四峰部间的另一个端部，第一、三峰部彼此相对，第二、四峰部彼此相对，端部分和另一端部分彼此相对，还包括高饱和磁通量密度层，一个高饱和磁通量密度层覆盖端部分而另一个高饱和磁通量密度层覆盖另一端部分，其中：在用于防止虚假磁头的重要区域内，至少在第一、第二、第三和第四峰部中的一部分上的高饱和磁通量密谋层的厚度不小于0.5μm。

公开(公告)号：CN1151065A

公开(公告)日：1997-06-04

申请号：CN96111963.2

申请日：1996-08-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高井繁好 ,  酒井典夫

IPC: G11B5/127

CPC classification number: G11B5/1871 ,  G11B5/008

Abstract: 在磁头中包括：一对磁芯，其中一个磁芯包括第一峰部、第二峰部和第一与第二峰部间的端部，另一个磁芯包括第三峰部、第四峰部和第三与第四峰部间的另一个端部，第一、三峰部彼此相对，第二、四峰部彼此相对，端部分和另一端部分彼此相对，还包括高饱和磁通量密度层，一个高饱和磁通量密度层覆盖端部分而另一个高饱和磁通量密度层覆盖另一端部分，其中：在用于防止虚假磁头的重要区域内，至少在第一、第二、第三和第四峰部中的一部分上的高饱和磁通量密度层的厚度防止小于0.5μm。