发光二极管
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102473809A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201180002711.7

    申请日:2011-04-15

    CPC classification number: H01L33/42 H01L33/32

    Abstract: 本发明提供发光二极管,其同时达成从窗电极层抽取光的光抽取效率的提高和与p型GaN接触的窗电极层的接触电阻的降低。n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层和p侧电极,以此顺序层叠,n侧电极与n型氮化物半导体层电连接,窗电极层具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜,p侧氮化物半导体层与单晶n型ITO透明电极膜接触,单晶n型ITO透明电极膜与单晶n型ZnO透明电极膜接触,p侧电极与单晶n型ZnO透明电极膜电连接,单晶n型ITO透明电极膜不仅含有In还含有Ga,单晶n型ITO透明电极膜具有0.08以上0.5以下的Ga/(In+Ga)摩尔比,单晶n型ITO透明电极膜具有1.1nm以上55nm以下的厚度。

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