公开(公告)号：CN101498899A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910126712.7

申请日：2009-02-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井出理美子 ,  野田研二 ,  福本博文 ,  旭宪一 ,  氏丸直彦

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70641 ,  Y10S430/143

Abstract: 本发明提供聚焦测定方法和半导体装置的制造方法，其能够正确地测定聚焦值和聚焦偏移量。利用由电子束照射引起的抗蚀剂图形的收缩量依赖于聚焦值进行变化的情况求取聚焦值。在求取聚焦值的情况下，对通过聚焦值测定对象的曝光形成的聚焦测定用抗蚀剂图形的收缩量进行测定。与该收缩量对应的聚焦值从预先取得的收缩量的聚焦依赖性求取。聚焦偏移量能够由该聚焦值和最佳聚焦值的差确定。

公开(公告)号：CN1605936A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410084972.X

申请日：2004-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野田研二 ,  桥本伸

IPC: G03F1/08 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 本发明公开了一种光掩模、及图案形成方法。本发明的目的在于：提供一种光掩模，该光掩模能够形成较好再现的相互交叉或者合流的多个狭缝图案。光掩模，在透过性衬底上，包括：彼此间隔相同分开设置的3个以上的叠片状第1遮光部分110a、与第1遮光部分110a邻接形成的第3遮光部分110c、以及被第1遮光部分110a和第3遮光部分110c包围形成的狭缝状第1透光部分。第3遮光部分110c，以包含距3个以上的所述第1遮光部分110a的距离相同的点的形式形成。通过使用本光掩模，能够用同一个工序形成连接孔图案、和蜂窝状连接孔图案。

公开(公告)号：CN101071277A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200610165978.9

申请日：2006-12-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北原英和 ,  野田研二 ,  旭宪一 ,  氏丸直彦 ,  福本博文

IPC: G03F7/30 ,  G03F7/26 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021

Abstract: 本发明涉及一种显像方法及使用该显像方法的半导体装置的制作方法。在抗蚀图案的多段显像方法中，即使开口率不同的区域混杂时也能防止图案尺寸(开口尺寸)所产生的偏差。首先工序(ST1)中在具有上表面开口率互不相同的设计图案已被曝光的抗蚀膜的晶片中，向抗蚀膜上供给显像液。然后在工序(ST2)中通过已供给的显像液使抗蚀膜进行显像反应。然后在工序(ST3)中在显像后通过旋转晶片甩开去除显像液及溶解于该显像液的抗蚀剂。然后在工序(ST5)中去除显像液后向已显像的抗蚀膜上供给清洗液，通过旋转晶片冲掉显像液及溶解于该显像液的抗蚀剂。此时工序(ST3)中晶片的旋转速度小于等于工序(ST5)中衬底旋转速度的二分之一。

公开(公告)号：CN100403166C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200410084972.X

申请日：2004-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野田研二 ,  桥本伸

IPC: G03F1/08 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 本发明公开了一种光掩模、及图案形成方法。本发明的目的在于：提供一种光掩模，该光掩模能够形成较好再现的相互交叉或者合流的多个狭缝图案。光掩模，在透过性衬底上，包括：彼此间隔相同分开设置的3个以上的叠片状第1遮光部分110a、与第1遮光部分110a邻接形成的第3遮光部分110c、以及被第1遮光部分110a和第3遮光部分110c包围形成的狭缝状第1透光部分。第3遮光部分110c，以包含距3个以上的所述第1遮光部分110a的距离相同的点的形式形成。通过使用本光掩模，能够用同一个工序形成连接孔图案、和蜂窝状连接孔图案。