公开(公告)号：CN1316626C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN03102938.8

申请日：2003-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下胜重 ,  西村久治 ,  山崎浩務 ,  井上真幸 ,  佐藤嘉展

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 提供一种SOI型半导体装置，它是一种至少包括在绝缘膜上形成的包含半导体层(3)的SOI基板(50)，和在半导体层3上形成的半导体有源元件(60)的SOI型半导体装置(1000)。在SOI型半导体装置上的半导体有源元件(60)，形成在由为上述斑点状分离半导体层(3)的分离区域(4)所包围的元件形成区域(70)内，在形成了半导体有源元件(60)的元件形成区域(70)以外的半导体层(3)的一部分(80)上，形成了含有高浓度不纯物的吸收层(9)，并且，在形成了半导体有源元件(60)的元件形成区域(70)内不形成吸收层(9)。

公开(公告)号：CN1434518A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN03102938.8

申请日：2003-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下胜重 ,  西村久治 ,  山崎浩務 ,  井上真幸 ,  佐藤嘉展

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76286 ,  H01L21/84

Abstract: 提供一种小型SOI型半导体装置。它是一种至少包括在绝缘膜(2)上形成的包含半导体层(3)的SOI基板(50)，和在半导体层3上形成的能动型半导体元件(60)的SOI型半导体装置(1000)。在SOI型半导体装置上的能动型半导体元件(60)，形成在由为斑点状分离半导体层(3)的分离区域(4)所包围的元件形成区域(70)内，在形成了能动型半导体元件(60)的元件形成区域(70)以外的半导体层(3)的一部分(80)上，形成了含有高浓度不纯物的吸收层(9)，并且，在形成了能动型半导体元件(60)的元件形成区域(70)内不形成吸收层(9)。