公开(公告)号：CN101278388A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200680035974.7

申请日：2006-11-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松永弘树 ,  菱川直毅 ,  前岛明广 ,  金田甚作 ,  安藤仁

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路。在半导体芯片上包括多个电路单元，该多个电路单元沿着半导体芯片的第一芯片边形成，多个电路单元中的每一个电路单元都具有垫。该半导体集成电路包括形成在所述多个电路单元上的高压电位用布线。所述高压电位用布线具有布线宽度在长度方向上自中央部朝着端部增宽的形状。

公开(公告)号：CN101282115A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810083556.6

申请日：2008-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菱川直毅 ,  松永弘树 ,  金田甚作

IPC: H03K19/0185 ,  H03K19/007 ,  H03K17/08 ,  H03K17/687 ,  G09G3/28

CPC classification number: H03K3/35613

Abstract: 本发明公开了一种多沟道半导体集成电路。该半导体集成电路包括：高侧晶体管、低侧晶体管、驱动高侧晶体管的电平位移电路以及驱动低侧晶体管的预驱动电路，且以高侧晶体管与低侧晶体管的连接点作为输出端。电平位移电路还包括：栅极被预驱动电路驱动的第一及第二N型MOS晶体管、以及阳极连接在未连接高侧晶体管的栅极的第一及第二N型MOS晶体管的漏极上且阴极连接在输出端的二极管。