公开(公告)号：CN1155110C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN98100637.X

申请日：1998-02-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大泽胜市 ,  老邑克彦

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02164 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种和以前相比，光检测灵敏度更高，光遥控接收装置的接收距离更长的光接收装置。在由N型杂质区域构成的受光部形成在其中的P型半导体衬底上，形成第1P型杂质区域来作为消除电磁噪声的屏蔽部。该屏蔽部呈网格状覆盖受光部的一部分表面，以防止因它和受光部相互接触而引起的自发噪声过大。并且，形成比受光部深的第2P型杂质区域来包围第1P型杂质区域，以便消除来自半导体衬底侧面的电磁噪声。

公开(公告)号：CN1155108C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN98120868.1

申请日：1998-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 老邑克彦 ,  大泽胜市

IPC: H01L31/08 ,  H04B10/08 ,  H04B17/00

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/202 ,  H01L2224/73265 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 为了提供能够抑制自发噪声的产生并有效地减少外部噪声的光检测器，在n型半导体衬底正面设置p型扩散层，在p型扩散层正面设置p型低电阻层，在n型半导体衬底的反面设置引线框架、中间夹有绝缘树脂薄膜，p型低电阻层电连接到引线框架。光检测器的正面保持地电位，故能防止来自外界的电磁噪声的侵入，亦即外部噪声的影响，所以接收距离得以增大。另外，由于p型扩散层和p型低电阻层之间的接合处不是pn结，故自发噪声的产生得到充分抑制。

公开(公告)号：CN1091302C

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：CN96100548.3

申请日：1996-04-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大泽胜市 ,  老邑克彦 ,  薄窪秀昭

IPC: H01L31/10 ,  G01J1/44

CPC classification number: H01L27/1443

Abstract: 提供可使用各种放大器且电路规模小的光检测装置及其制造方法。第1受光部分PD1由P型半导体基板上形成的N型第1杂质区和N型第1杂质区表面上形成的P型第2杂质区构成，第2受光部分PD2由P型半导体基板和其上形成的N型第3杂质区构成。第1和第2受光部分串联连接，所以使用双极型晶体管作为放大装置能够减小光检测装置的电路规模。另外，第1、第2受光部分上分别加反向偏置电压，提高了光灵敏度。此外，可通过第1、第2受光部分的面积比设定检测光的波段。

公开(公告)号：CN1192054A

公开(公告)日：1998-09-02

申请号：CN98100637.X

申请日：1998-02-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大泽胜市 ,  老邑克彦

IPC: H01L31/08

CPC classification number: H01L31/02164 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种和以前相比,光检测灵敏度更高,光遥控接收装置的接收距离更长的光接收装置。在由N型杂质区域构成的受光部形成在其中的P型半导体衬底上,形成第1P型杂质区域来作为消除电磁噪声的屏蔽部。该屏蔽部呈网格状覆盖受光部的一部分表面,以防止因它和受光部相互接触而引起的自发噪声过大。并且,形成比受光部深的第2P型杂质区域来包围第1P型杂质区域,以便消除来自半导体衬底侧面的电磁噪声。